| 摘要 |
<p>Ein Verfahren zur Prozessierung einer monokristallinen Si-Halbleiterscheibe (1) umfaßt einen Temperschritt bei einer Temperatur von über 550°C. Zuvor wird auf der Rückseite der Si-Halbleiterscheibe eine Schutzschicht (15) gegen das Eindringen von Metall- und/oder Seltenerdmetall-Substanzen während des Temperschritts in die Si-Halbleiterscheibe (1) aufgebracht.</p> |
