| 主权项 |
1.一种蚀刻矽晶圆之方法,其包括以下步骤:研磨矽晶圆;蚀刻矽晶圆;及抛光矽晶圆;其中蚀刻步骤包括蚀刻处理与冲洗处理,并将至少一种氧化剂加入欲被用于冲洗处理之冲洗液中,于是在矽晶圆表面上形成氧化薄膜。2.根据申请专利范围第1项之蚀刻矽晶圆之方法,其中氧化剂为臭氧,过氧化氢,氢氧化铵与过氧化氢之混合物,硝酸及硫酸之一。3.根据申请专利范围第2项之蚀刻矽晶圆之方法,其中系进一步将表面活性剂或润湿剂加入冲洗液中。4.根据申请专利范围第2项之蚀刻矽晶圆之方法,其中系进一步将中和剂加入冲洗液中。5.根据申请专利范围第4项之蚀刻矽晶圆之方法,其中系进一步将表面活性剂或润湿剂加入冲洗液中。6.根据申请专利范围第1项之蚀刻矽晶圆之方法,其中系进一步将中和剂加入冲洗液中。7.根据申请专利范围第6项之蚀刻矽晶圆之方法,其中系进一步将表面活性剂或润洁剂加入冲洗液中。8.根据申请专利范围第1项之蚀刻矽晶圆之方法,其中系进一步将表面活性剂或润湿剂加入冲洗液中。图式简单说明:第一图为一示意图,说明在本发明蚀刻矽晶圆方法及习用蚀刻矽晶圆方法中之外来物质黏附之情况。第二图为一图表,说明在用于冲洗处理之冲洗液中添加臭氧之作用。 |
