| 主权项 |
1.一种非挥发性残余物沉积于半导体制造之化学气相沉积反应室的内壁或晶座上之电浆清洗的方法,上述之反应室内有两个电极,而它们之间的距离是可以调整的,该方法至少包含下述步骤:(a) 拉长上述之化学气相沉积反应室内的两个电极面间之距离,该距离至少能使一电浆产生;(b) 将含有氟成份的氟化物气体流进上述之化学气相沉积反应室内;(c) 当上述之氟化物气体进入至上述之反应室内时,便渐渐地产生上述之氟化物电浆,之后该电浆与上述之非挥发性残余物进行反应;(d) 停止供应上述之氟化物气体进入至上述之反应室内,且停止产生上述之氟化物电浆;及(e) 把上述之氟化物电浆与上述之非挥发性残余物反应之生成物排出上述之反应室外,且将上述之反应室内的两个电极面间之距离恢复为尚未拉长前的距离。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之非挥发性残余物,至少包含钨(Tungsten)。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之经过拉长后的两个电极面间之距离约为600至1500mils。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之反应室内的两个电极面间之距离恢复为尚未拉长前的距离约为 100至800mils。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氟化物气体流进上述之反应室内的流量控制在约20至1000sccm之范围内。6.如申请专利范围第5项之方法,其中上述之氟化物气体的电浆产生,其功率控制在约20Watts至3000Watts之范围内。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氟化物电浆与上述之非挥发性残余物反应之生成物为气体。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之反应室内的压力维持在约0.1至10Torr之范围内。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之反应室内的温度维持在约摄氏100度至1000度之范围内。10.一种非挥发性残余物沉积于半导体制造之化学气相沉积反应室的内壁或晶座上之电浆清洗的方法,上述之反应室内有两个电极,而它们之间的距离是可以调整的,该方法在上述之反应室内的压力维持在约0.1至 10Torr之范围内至少包含下述步骤:(a) 拉长上述之化学气相沉积反应室内的两个电极面间之距离,该距离至少能使一电浆产生;(b) 将含有氟成份的氟化物气体流进上述之化学气相沉积反应室内,并控制该氟化物气体的流量约在20至1000sccm之范围内;(c) 当上述之氟化物气体进入至上述之反应室内时,便渐渐地产生上述之氟化物电浆,并控制该电浆的功率约在20Watts至3000Watts之范围内,之后该电浆与上述之非挥发性残余物进行反应;(d) 停止供应上述之氟化物气体进入至上述之反应室内,且停止产生上述之氟化物电浆;及(e) 把上述之氟化物电浆与上述之非挥发性残余物反应之生成物排出上述之反应室外,且将上述之反应室内的两个电极面间之距离恢复为尚未拉长前的距离。11.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之非挥发性残余物,至少包含钨(Tungsten)。12.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之经过拉长后的两个电极面间之距离约为600至1500mils。13.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之反应室内的两个电极面间之距离恢复为尚未拉长前的距离约为100至800mils。14.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之氟化物电浆与上述之非挥发性残余物反应之生成物为气体。15.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之反应室内的温度维持在约摄氏100度至1000度之范围内。16.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之氟化物气体可从NF.sub.3或C.sub.2F.sub.6或ClF.sub.3或SF.sub.6里选择一种。 |
