| 主权项 |
1.一种热罩,用于包围一个单晶体铸锭之一晶体抽拉器中,该铸锭系在充满已熔化半导体源材料之该晶体抽拉器内被长晶超出一坩埚,该热罩包括具有一中央开口之一反射器,其大小与形状系在该铸锭被长晶以降低自坩埚之热传递时用于包围该铸锭,该反射器系适用于被支在已熔化材料及一照相机间之晶体抽拉器中,该照相机系被瞄准朝向该铸锭及已熔化材料之上表面间一新月形上的三个别点,该反射器具备至少三个延伸穿过反射器的通道,各通道系位于沿着该照相机及新月形的这些点之间的一条假想线上延伸,此举允许了该照相机去检查该点,所以各点的位置可由照相机来加以决定,以在使穿过通道时的热损减至最小的同时亦计算出铸锭的直径。2.申请专利范围第1项中之热罩,其中该通道系为与该反射器的中央开口相通的缺口。3.申请专利范围第2项中之热罩,其中该通道包括一中间通道及位于该中间通道之相反侧的终端通道。4.申请专利范围第3项中之热罩,其中各通道系位于一圆弧上,而各终端通道与该中央通道之间系沿着该圆弧量测相隔约15-50。5.如申请专利范围第4项中之热罩,其中各终端通道与该中央通道之间系沿着该圆弧量测相隔约35。6.申请专利范围第5项中之热罩,其中各终端通道系宽于该中央通道。7.申请专利范围第1项中之热罩,其中该反射器为一第一反射器,且该热罩进一步包括大致与该第一反射器同轴之第二反射器,该第二反射器具有一中央开口与该第一反射器之中央开口对正。8.申请专利范围第8项中之热罩,进一步包括一位于该第一及第二反射器间之一绝缘层。9.申请专利范围第1项中之热罩,其中该中央开口系为圆形且具备约较该铸锭直径大1.1倍之直径。10.申请专利范围第1项中之热罩,其中该各通道具有一有效检查宽度,其于垂直于该对应假想线之约10公厘处加以量测。图式简单说明:第一图系本发明之一热罩及晶体拉引器之一示意部分垂直横剖面视图;第二图系该热罩之一外部反射器之一顶视图;第三图系由第二图之3-3线所指示之优势处所见之外部反射器之一部分前视图;第四图系该铸锭内轴向温度梯度当作该铸锭表面温度之一函数所得的一个图表;以及第五图系该铸锭内固化介面处之轴向温度梯度当作半径之一函数所得的一个图表。 |
