| 主权项 |
1.一种金属内连线制作中去除旋涂式玻璃(SOG)制程中之残留物的方法,其步骤包括:(a)提供一已完成金属内连线之前段制程的晶圆,其中包含金属层之形成;(b)涂布SOG层,并进行SOG回蚀刻;(c)在没有电浆产生的情形下,通入气体(Gas-Flow)去除SOG制程中之残留物。2.如申请专利范围第1项所述金属内连线制作中去除SOG制程中之残留物的方法,其中所述(a)与(b)步骤间可加入一形成介电层之步骤。3.如申请专利范围第2项所述之金属内连线制作中去除旋涂式玻璃(SOG)制程中之残留物的方法,其中该介电层可为二氧化矽层。4.如申请专利范围第3项所述之金属内连线制作中去除旋涂式玻璃(SOG)制程中之残留物的方法,其中该二氧化矽层系利用电浆辅助化学气相沉积法(PECVD)形成。5.如申请专利范围第1项所述金属内连线制作中去除SOG制程中之残留物的方法,其中所述SOG回蚀步骤系采用电浆蚀刻法(Plasma Etching)。6.如申请专利范围第1项所述金属内连线制作中去除SOG制程中之残留物的方法,其中所述SOG回蚀步骤中的电浆蚀刻法,系采用含有CH4.CHF3等氟化物气体与氧气为反应物来进行。7.如申请专利范围第1项所述金属内连线制作中去除SOG制程中之残留物的方法,其中所述通入之气体可选自于所有的钝气(Inert Gases)。8.如申请专利范围第7项所述金属内连线制作中去除SOG制程中之残留物的方法,其中所述通入之气体可为氩气(Ar)。9.如申请专利范围第8项所述金属内连线制作中去除旋涂式玻璃(SOG)制程中之残留物的方法,其中该通入之氩气(Ar),其流量系介于50-500sccm之间。10.如申请专利范围第8项所述金属内连线制作中去除旋涂式玻璃(SOG)制程中之残留物的方法,其中该通入之氩气(Ar),其压力系介于50-1000mTorr之间。11.一种去除SOG制程中之残留物的方法,其步骤包括:(a)提供一表面已形成具有高低起伏结构之基板;(b)涂布SOG层,并进行SOG回蚀刻;(c)在没有电浆产生的情形下,通入气体(Gas-Flow)去除SOG制程中之残留物。12.如申请专利范围第11项所述去除SOG制程中之残留物的方法,其中所述基板可为矽半导体晶圆、砷化钾(GaAs)半导体晶圆、玻璃面板(flatglass panel)或陶瓷(ceramic)基板。13.如申请专利范围第11项所述去除SOG制程中之残留物的方法,其中所述SOG回蚀步骤系采用电浆蚀刻法(Plasma Etching)。14.如申请专利范围第11项所述去除SOG制程中之残留物的方法,其中所述SOG回蚀步骤中的电浆蚀刻法,系采用含有CH4.CHF3等氟化物气体与氧气为反应物来进行。15.如申请专利范围第11项所述去除SOG制程中之残留物的方法,其中所述通入之气体可选自于所有的钝气(Inert Gases)。16.如申请专利范围第11项所述去除SOG制程中之残留物的方法,其中所述通入之气体可为氩气(Ar)。17.如申请专利范围第16项所述去除SOG制程中之残留物的方法,其中该通入之氩气(Ar),其流量系介于50-500sccm之间。18.如申请专利范围第16项所述去除SOG制程中之残留物的方法,其中该通入之氩气(Ar),其压力系介于50-1000mTorr之间。图式简单说明:第一图是习知技艺中,在电浆正在产生的情况(Plasma Power ON)下,通入Ar离子而更加引起残留物的堆积之剖面示意图。第二图是本发明实施例中,在电浆停止产生(PlasmaPower OFF)的情况下,以钝气将晶圆表面SOG制程中之残留物带走之剖面示意图。 |
