真空处理装置

摘要

于一种半导体晶圆等之真空处理装置上，于设有冷媒流路32之冷却部31之上表面上介以O形环35设有两片中间电介体板4A、4B，于其上复设有电介体板5。于此等电介体板4A、4B及5上，分别于表面部埋设有电极41及51，于内部则埋设有加热器42、52。中间电介体板4A、4B两者，及中间电介体板4B与电介体板5，系被以静电吸附力所接合。因此,于接合部份无有形成于两者间之真空环境间隙，或为较小。因此，热传导在面内为均一化，同时因O形环35所接触之中间电介体板4A之内面侧为200℃以下，故可抑制O形环之由热所造成之变质，且使实行面内均一性较高之真空处理之情事成为可能。

主权项

1.一种真空处理装置,为具备有真空室及设于前述真空室内之被处理基板之载置台,前述载置台具有设有冷却装备之冷却部,及设于前述冷却部上之被处理基板支持用电介体板,前述支持用电介体板具有加热装备,及构成被处理基板吸附用静电夹具之电极;其特征在于:具备有:一中间电介体板,系介以环状之合成树脂制密封材被接合于前述冷却部之表面,且于表面埋入有构成静电夹具之电极;及,一供给装备,对前述冷却部与中间电介体板间之被前述密封材所包围之区域供给传热用气体;前述支持用电介贴板系以前述中间电介体板之静电夹具之静电力接合被接合于前述中间电介体板表面。2.如申请专利范围第1项之真空处理装置,其中前述中间电介体板具有加热装备。3.如申请专利范围第1项之真空处理装置,其中前述中间电介体板系由多数片之中间电介体板元件所构成,前述中间电介体板元件之至少一者上埋入有构成静电夹具用之电极,而此等中间电介体板元件群系被以静电力接合。4.如申请专利范围第1项之真空处理装置,其更具有:一供给装备,系对前述冷却部与中间电介体板之接合面供给传热用气体;及,一控制装置,系调节被供给至该接合面之传热用气体之压力,而控制冷却部与中间电介体板间之传热之程度。5.如申请专利范围第1项之真空处理装置,其中前述支持用电介体板与中间电介体板之间设有导电性板。6.如申请专利范围第1项之真空处理装置,其更具有:一供给装备,系对前述中间电介体板与支持用电介体板之接合面供给传热用气体;一控制装置,系调节前述接合面内之传热用气体之压力,而控制前述中间电介体板与前述支持用电介体板之间之传热之程度。7.一种真空处理装置,为具备有真空室及设于前述真空室内之被处理基板之载置台,前述载置台具有设有冷却装备之冷却部,及设于前述冷却部上之被处理基板支持用电介体板,前述支持用电介体板具有加热装备,及构成被处理基板吸附用静电夹具之电极;其特征在于:具备有:一中间电介体板,系接设于与前述支持用电介体板之被处理基板之支持面为相反侧之面;一供给装备,对前述中间电介体板与支持用电介体板之接合面供给传热用气体;及,一控制装置,系调节前述传热用气体之压力,而控制前述中间电介体板与前述支持用电介体板之间之传热之程度。8.如申请专利范围第7项之真空处理装置,其中前述中间电介体板具有加热装备。9.如申请专利范围第7项之真空处理装置,其于前述中间电介体板与支持用电介体板之前述接合面上形成凹凸,而以此凹凸形成送入导热用气体之间隙。10.如申请专利范围第7项之真空处理装置,其中前述中间电介体板上埋入有构成静电夹具用之电极,而前述中间电介体板与电介体板系被以静电夹具之静电力接合。11.如申请专利范围第7项之真空处理装置,其更具有:一供给装备,系对前述冷却部与中间电介体板之接合面供给传热用气体;及,一控制装置,系调节被供给至该接合面之传热用气体之压力,而控制冷却部与中间电介体板间之传热之程度。12.如申请专利范围第7项之真空处理装置,其中前述支持用电介体板与中间电介体板之间设有导电性板。13.如申请专利范围第7项之真空处理装置,其更具有:一供给装备,系对前述中间电介体板与支持用电介体板之接合面供给传热用气体;及,一控制装置,系调节前述接合面内之传热用气体之压力,而控制前述中间电介体板与前述支持用电介体板之间之传热之程度。14.一种真空处理装置,为具备有真空室及设于前述真空室内之被处理基板之载置台,前述载置台具有设有冷却装备之冷却部,及设于前述冷却部上之被处理基板支持用电介体板,前述支持用电介体板具有加热装备,及构成被处理基板吸附用静电夹具之电极;其特征在于:具备有:一中间电介体板,系于与前述支持用电介体板之被处理基板之支持面为相反侧之面,接设前述冷却部;及,一电极,系被埋设于前述中间电介体板中而构成静电夹具,以静电力接合前述冷却部及中间电介体板者。15.如申请专利范围第14项之真空处理装置,其中前述中间电介体板具有加热装备。16.如申请专利范围第14项之真空处理装置,其更具有:一供给装备,系对前述冷却部与中间电介体板之接合面供给传热用气体;及,一控制装置,系调节被供给至该接合面之传热用气体之压力,而控制冷却部与中间电介体板间之传热之程度。17.如申请专利范围第14项之真空处理装置,其中前述支持用电介体板与中间电介体板之间设有导电性板。18.如申请专利范围第14项之真空处理装置,其更具有:一供给装备,系对前述中间电介体板与支持用电介体板之接合面供给传热用气体;及,一控制装置,系调节前述接合面内之传热用气体之压力,而控制前述中间电介体板与前述支持用电介体板之间之传热之程度。图式简单说明:第一图为本发明之一实施型态有关之真空处理装置之一例之断面图。第二图为使用于本发明之真空处理装置上之载置台之一例之断面图。第三图为前述载置台之一部份之断面图。第四图为成膜出层间绝缘膜时之载置台之温度之说明图。第五图为说明前述载置台之作用之说明图。第六图为使用于本发明之真空处理装置上之载置台之其他例之断面图。第七图为使用于本发明之真空处理装置上之载置台之另一其他例之断面图。第八图为说明前述载置台之作用之说明图。第九图为说明前述载置台之作用之特性图。第十图为使用于本发明之真空处理装置上之载置台之其他例之断面图。第十一图为使用于本发明之真空处理装置上之载置台之另一其他例之断面图。第十二图为使用于本发明之真空处理装置上之载置台之另一其他例之断面图。第十三图为习知之ECR电浆装置之断面图。