| 主权项 |
1.一种闸极蚀刻制程,适用于一堆叠膜层,该堆叠膜层由上而下依序为一氮化矽层、一矽化钨层、和一复晶矽层,该闸极蚀刻制程包括:在一氧化蚀刻机台中进行该氮化矽层之主要蚀刻,其中该主要蚀刻所使用之第一蚀刻气体为含有一硫氟化合物和一第一氟碳化合物之气体组合;在该氧化蚀刻机台中进行该氮化矽层之过度蚀刻,其中该过度蚀刻所使用之第二蚀刻气体为含有一第二氟碳化合物之气体组合;以及在一复晶矽蚀刻机台中蚀刻该矽化钨层和该复晶矽层。2.如申请专利范围第1项所述之闸极蚀刻制程,其中该硫氟化合物为SF6。3.如申请专利范围第1项所述之闸极蚀刻制程,其中该第一氟碳化合物系选自于由CHF3和CF4所组成之族群。4.如申请专利范围第3项所述之闸极蚀刻制程,其中该第一蚀刻气体之气体组合为CHF3/CF4/Ar/N2/SF6。5.如申请专利范围第1项所述之闸极蚀刻制程,其中该第二氟碳化含物系选自于由CHF3和CF4所组成之族群。6.如申请专利范围第5项所述之闸极蚀刻制程,其中该第二蚀刻气体之气体组合为CHF3/CF4/Ar/N2。7.如申请专利范围第1项所述之闸极蚀刻制程,其中该氧化蚀刻机台的下电极温度约为0至30℃。8.如申请专利范围第7项所述之闸极蚀刻制程,其中该下电极的温度约为20℃。9.一种蚀刻氮化矽层的方法,包括:进行该氮化矽层之主要蚀刻,其中该主要蚀刻所使用之第一蚀刻气体为含有一硫氟化合物和一第一氟碳化合物之气体组合;以及进行该氮化矽层之过度蚀刻,其中该过度蚀刻所使用之第二蚀刻气体含有一第二氟碳化合物之气体组合。10.如申请专利范围第9项所述之蚀刻氮化矽层的方法,其中该硫氟化合物为SF6。11.如申请专利范围第9项所述之蚀刻氮化矽层的方法,其中该第一氟碳化合物系选自于由CHF3和CF4所组成之族群。12.如申请专利范围第11项所述之蚀刻氮化矽层的方法,其中该第一蚀刻气体之气体组合为CHF3/CF4/Ar/M2/SF6。13.如申请专利范围第9项所述之蚀刻氮化矽层的方法,其中该第二氟碳化合物系选自于由CHF3和CF4所组成之族群。14.如申请专利范围第9项所述之蚀刻氮化矽层的方法,其中该第二蚀刻气体之气体组合为CHF3/CF4/Ar/N2。15.如申请专利范围第9项所述之蚀刻氮化矽层的方法,其中该主要蚀刻步骤系在一蚀刻机台中进行。16.如申请专利范围第9项所述之蚀刻氮化矽层的方法,其中该蚀刻机台的下电极温度约为0至30℃。17.如申请专利范围第16项所述之蚀刻氮化矽层的方法,其中该下电极的温度约为20℃。18.一种蚀刻制程,适用于蚀刻氮化矽层和位在该氮化矽层下方的矽化钨层,该蚀刻制程包括:在第一蚀刻机台中进行该氮化矽层之主要蚀刻,其中该主要蚀刻所使用之第一蚀刻气体为含SF6之气体组合;在第一蚀刻机台中进行该氮化矽层之过度蚀刻,其中该过度蚀刻所使用之第二蚀刻气体为不含SF6之气体组合;以及在第二蚀刻机台中蚀刻该矽化钨层。19.如申请专利范围第18项所述之蚀刻制程,其中该第一蚀刻气体之气体组合为CHF3/CF4/Ar/N2/SF6。20.如申请专利范围第18项所述之蚀刻制程,其中该第二蚀刻气体之气体组合为CHF3/CF4/Ar/N2。21.如申请专利范围第18项所述之蚀刻制程,其中该第一蚀刻机台为氧化蚀刻机台。22.如申请专利范围第18项所述之蚀刻制程,其中该第二蚀刻机台为复晶矽蚀刻机台。23.如申请专利范围第18项所述之蚀刻制程,其中该第一蚀刻机台的下电极温度约为0至30℃。24.如申请专利范围第23项所述之蚀刻制程,其中该下电极的温度约为20℃。图式简单说明:第一图绘示习知的一种闸极蚀刻制程的流程示意图;第二图绘示根据本发明,一种闸极蚀刻制程流程示意图;第三图绘示根据第二图之第一阶段220,一种氮化矽蚀刻步骤流程示意图;第四图绘示根据本发明进行之闸极蚀刻制程所得之部份结果剖面示意图;以及第五图绘示如果在主要蚀刻部份使用不含SF6的气体组合所产生的部份结果剖面示意图。 |
