| 主权项 |
1.一种用以除去氧化膜之处理方法,系用以除去被处理体表面所形成之氧化膜者,其特征在于包含下列步骤,即:由N2气体、H2气体及NF3气体,形成活性化之气体;将被处理体表面暴露于前述活性化气体中,而使该被处理体表面上欲除去之氧化膜与该活性化气体产生反应结果形成反应膜;再将该处理体加热至既定之温度而使前述反应膜产生昇华状态。2.如申请专利范围第1项之处理方法,其中利用前述处理方法所除去之氧化膜,系针对前述被处理体在既定的加工步骤中,与大气反应所形成之自然氧化膜者。3.如申请专利范围第1项之处理方法,其中并包含有由该N2气体、该H2气体及该NF3气体形成之前述活性化气体,系将N2气体和H2气体混合气体等离子化,并形成活性化种;再以该NF3气体供给前述活性化种,藉以形成该N2气体、该H2气体及该NF3气体之活性化气体的步骤。4.如申请专利范围第3项之处理方法,其中利用前述处理方法所除去之氧化膜,系针对前述被处理体在既定之加工工程中,与大气反应所形成之自然氧化膜者。5.如申请专利范围第3项之处理方法,其中该N2气体和该H2气体之该混合气体的离子化,系在等离子发生部中,在供入该等离子发生部之N2气体和H2气体的混合气体中导入微波而施行者。6.如申请专利范围第1项之处理方法,其中前述既定之温度系在100℃以上,且,及前述反应膜之形成及前述活性化气体之形成系在未满100℃之温度下施行者。7.一种用以除去氧化膜之处理装置,包含有:用以载置被处理体之载置台(susceptor);用以收容该载置台之处理室;用以除去形成于该被处理体表面之氧化膜的除去机构;其特征在于其中前述氧化膜除去机构具备有:用以由N2气体、H2气体及NF3气体形成活性化气体之活性化气体形成装置;用以将前述活性化气体形成装置所形成之前述活性化气体导入该载置于前述处理室内之该载置台上的被处理体表面之导入装置;以及用以将被处理体加热至该被处理体表面所形成之氧化膜与导入前述处理室内之前述活性化气体产生反应结果所形成之反应膜昇华之温度的加热装置。8.如申请专利范围第7项之用以除去氧化膜之处理装置,其特征在于前述活性化气体形成装置,具备有:用以将所供给气体等离子化之等离子发生装置;将N2气体和H2气体供入该等离子发生装置之气体供给装置;将该等离子发生机构所产生之等离子,作为经活性化后之活性化种的活性化种形成装置;以及用以将NF3气体供给至前述活性化种形成装置所形成之N2气体与H2气体的活性化种,形成N2气体、H2气体及NF3气体之活性化气体的活性化气体形成装置者。9.如申请专利范围第7项之用以除去氧化膜之处理装置,其特征在于:该被处理体表面所除去之前述氧化膜,系针对该被处理体在既定的加工工程中,与大气反应下所形成之自然氧化膜者。10.如申请专利范围第9项之除去氧化膜用之处理装置,其特征在于前述活性化气体形成装置,具备有:用以将所供给气体等离子化处理之等离子发生装置;用以将N2气体和H2气体供给该等离子发生装置之气体供给装置;用以将该等离子发生机构所产生之等离子,作为经活性化之活化种的活性化种形成装置;以及用以将NF3气体供给至前述活性化种形成装置所形成之N2气体和H2气体的活性化种,形成N2气体、H2气体以及NF3气体活性化气体的活性化气体形成装置;而其中前述用以将被处理体加热之加热装置系将被处理体加热至该被处理体表面所形成之自然氧化膜与导入前述处理室内之前述活性化气体产生反应结果所形成之反应膜昇华之温度。11.如申请专利范围第10项之除去氧化膜用之处理装置,其特征在于前述等离子发生装置,具备有使用微波将气体等离子化处理之机构者。12.如申请专利范围第10项之除去氧化膜用之处理装置,其特征在于前述等离子发生装置和前述活性化种形成装置,具备有:微波透过性管;以及在该等之入口处,设有微波供给部,以及N2气体和H2气体供给部者。13.如申请专利范围第10项之除去氧化膜用之处理装置,其特征在于:将前述活性化气体,导入前述处理室内该载置台上所载置之被处理体表面之导入机构,具备有:设置前述活性化种形成装置之流出口处,并将该N2气体,该H2气体及该NF3气体经活性化处理后气体引导至被处理体表面之导者。14.如申请专利范围第10项之除去氧化膜用之处理装置,其特征在于:前述活性化气体形成装置,前述导入机构以及前述处理室与前述活性化气体接触之壁,系由电气绝缘性材料所形成者。15.如申请专利范围第10项之除去氧化膜用之处理装置,其特征在于:前述加热装置,系将该载置台加热,而使该载置台所载置之被处理体温度,使其上昇至前述反应膜所昇华温度之装置者。图式简单说明:第一图系显示本发明处理装置之构成图;第二图系显示NF3气体供细部之平面图。第三图A、第三图B及第三图C系用以说明本发明方法之工程图;第四图A系显示应用本发明方法将被处理前该被处理体表面元素分析结果之图形;第四图B系显示应用本发明方法将被处理后该被处理体表面元素分析结果之图形;第五图系显示等离子形成部变形例之图形;第六图A、第六图B系用以除去自然氧化膜,过去处理方法说明用图;第七图系为显示本发明效果用之实验结果图形。 |
