| 主权项 |
1.一种制备毫微孔度陶瓷产物之方法,该陶瓷产物具有超过70平方米/克的表面积及大于0.03立方厘米/克之开孔型微孔容积,该微孔的平均直径小于20埃,该方法包括:(a)准备一组成物,其基本上系由具有数平均分子量在200至100,000克/莫耳范围内的陶瓷先质低聚物或聚合物材料所构成;(b)作为选用步骤,将该陶瓷先质组成物与能够与该先质材料内所含主链原子进行加合或置换反应之交联剂接触,同时将该先质逐渐地加热到在100℃至400℃范围内的中间温度(Tint)一段足以交联该先质材料之时间;(c)将步骤(a)所得该组成物或步骤(b)所得该经交联的先质材料置于流动非反应性惰性气体内或真空中逐渐加热到超过400℃至高达650℃最高温度(Tmax)的温度以形成该毫微孔度陶瓷产物;及(d)逐渐冷却该毫微孔度陶瓷产物。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该交联剂具有构造H-R-H,其中R为选自O,S,NH及含有1至40个碳原子的经官能化有机基所成组合之中的多价基。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该交联剂系呈气体或蒸气之形式且其中该步骤(b)中的接触系经由在该加热步骤中将该气体或蒸气通入使其穿过或越过该陶瓷先质材料而完成的。4.如申请专利范围第2项之方法,其中该交联剂在高于100℃下为固体或液体且其中该步骤(b)中的接触系经由形成该交联剂与该陶瓷先质材料的混合物而完成的。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该加热步骤(c)系在选自氦,氩,氮和氖所成组合之中的非反应性,惰性气体存在中进行的。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该微孔型陶瓷产物具有超过100平方米/克的表面积及大于0.08立方厘米/克的开孔型微孔容积。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该步骤(c)中的最高加热温度为625℃。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该步骤(b)中加热速率为小于5℃/分。9.如申请专利范围第6项之方法,其中该混合物系经由将该陶瓷先质与该交联剂溶解在有机溶剂内及蒸发该溶剂而形成的。10.如申请专利范围第1项之方法,其中该陶瓷先质系选自下列所成组合之中者:聚矽氮烷,聚矽氧氮烷,聚碳矽氮烷,全氢聚矽氮烷,聚碳矽烷,乙烯型聚矽烷,胺硼烷,聚苯基氮化硼(po1yphenyl borazones),碳硼烷矽氧烷,聚矽烷苯乙烯,聚钛-碳矽烷及彼等的混合物。11.一种毫微孔度陶瓷产物,其具有超过70平方米/克的表面积及大于0.03立方厘米/克的开孔型微孔容积,该微孔具有小20埃的平均宽度,该产物系用如申请专利范围第1项之方法所制得。12.如申请专利范围第11项之陶瓷产物,其具有超过200平方米/克之表面积及大于0.08立方厘米/克之微孔容积。 |
