发明名称 烷基芳族烃类之异构化方法
摘要 一种将含烷基芳族烃类的供料异构化的方法,例如单环烷基芳族烃类及/或二环烷基芳族烃类,进行此方法时是使供料在转化情形下与含中等孔洞大小的第一种沸石之第一种晶体之沸石结合的沸石触媒及含第二种沸石的第二种晶体之黏着剂接触,此方法特别适用于使含乙苯且其中二甲苯的量低于与乙苯平衡所需的量之供料的异构化,可制造含高于平衡量的对二甲苯及低芳族环损失与低二甲苯损失之产物。
申请公布号 TW408094 申请公布日期 2000.10.11
申请号 TW086112260 申请日期 1997.08.26
申请人 艾克颂化学专利公司 发明人 葛瑞.摩尔;加尼.皮.莫度
分类号 C07C2/08 主分类号 C07C2/08
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种将含可异构化的单环烷基芳族烃类、可异构化的二环烷基芳族烃类或其混合物的供料异构化的方法,其中包括:使供料在异构转化情形下与沸石结合的沸石触媒接触,该沸石触媒中所含之非沸石黏着剂低于10重量%(以下述之第一种及第二种沸石之重量计算)并含:(a)中等孔洞大小(5至7)的第一种沸石之第一种晶体;及(b)含第二种沸石的第二种晶体之黏着剂。2.如申请专利范围第1项之方法,其中第二种晶体为内部成长且在第一种晶体上至少形成一部分的涂覆。3.如申请专利范围第2项之方法,其中第一种晶体的平均粒子大小至少为0.1微米且第二种晶体的平均粒子大小低于第一种晶体。4.如申请专利范围第3项之方法,其中第一种晶体的平均粒子大小为1至6微米且第二种晶体的平均粒子大小为0.1至0.5微米。5.如申请专利范围第4项之方法,其中第一种沸石及第二种沸石之结构型态彼此独立地为MFI、MEL、MTW、MTT、FER、EUO或TON。6.如申请专利范围第5项之方法,其中第一种沸石为MFI结构。7.如申请专利范围第6项之方法,其中第二种沸石为MFI或MEL结构。8.如申请专利范围第7项之方法,其中第一种沸石至少有一部分是氢形式。9.如申请专利范围第8项之方法,其中第一种沸石为矽酸铝沸石或矽酸镓沸石。10.如申请专利范围第9项之方法,其中第一种沸石的氧化矽对氧化铝之莫耳比例为70:1至700:1,或氧化矽对氧化镓之莫耳比例为24:1至500:1。11.如申请专利范围第9项之方法,其中第一种沸石含催化活性部位。12.如申请专利范围第10项之方法,其中第二种沸石的酸性低于第一种沸石,且较宜实质上非酸性。13.如申请专利范围第9项之方法,其中第二种沸石为矽酸铝沸石或矽酸镓沸石。14.如申请专利范围第13项之方法,其中第二种沸石的氧化矽对氧化铝之莫耳比例大于200:1,或氧化矽对氧化镓之莫耳比例大于100:1。15.如申请专利范围第14项之方法,其中第二种沸石的氧化矽对氧化镓之莫耳比率大于200:1。16.如申请专利范围第14项之方法,其中第二种沸石为矽沸石或矽沸石2。17.如申请专利范围第14项之方法,其中沸石结合的沸石触媒还含至少一种催化性的氢化金属。18.如申请专利范围第17项之方法,其中该催化性的氢化金属为VIII族金属。19.如申请专利范围第18项之方法,其中沸石结合的沸石触媒之制备方法包括提供含第一种沸石的第一种晶体之氧化矽结合的聚集物及至少一部分的催化性氢化金属并将其转化成第二种沸石。20.如申请专利范围第18项之方法,其中沸石结合的沸石触媒之制备方法包括在高温下熟化在含羟离子的离子性水溶液中的含第一种沸石的第一种晶体之氧化矽结合的聚集物。21.如申请专利范围第20项之方法,其中沸石结合的沸石触媒含低于5重量%的非沸石黏着剂,以第一种及第二种沸石的总重量为基准。22.如申请专利范围第14项之方法,其中烷基芳族烃系选自包括:(a)由下式代表的单环烷基芳族烃:I.其中:各R1为彼此独立地含1至约4个碳原子的烷基,且x为2或3;及(b)由下式代表的二环烷基芳族烃:II.其中:R2及R3彼此独立地为含1至4个碳原子的烷基,且y及z彼此独立地为0.1或2,其条件是y与z的总和为2.3或4。23.如申请专利范围第22项之方法,其中供料含式I的单环烷基芳族烃,其中R1为甲基或乙基且x为2。24.如申请专利范围第22项之方法,其中供料含式II的二环烷基芳族烃,其中各R2及R3为甲基,y为1且z为1。25.如申请专利范围第23项之方法,其中供料含乙苯及二甲苯的芳族C8混合物,其中对-二甲苯的浓度至少高于热动力学平衡。426.如申请专利范围第25项之方法,其中除了与沸石结合的沸石触媒接触外,也在转化情形下使供料与二甲苯异构化触媒的第二种触媒接触;且其中沸石结合的沸石触媒含酸性的第一种沸石、酸性低于第一种沸石之第二种沸石、及有效量的催化性氢化金属。27.如申请专利范围第26项之方法,其中供料与第二种触媒接触前,先与沸石结合的沸石触媒接触。28.如申请专利范围第26项之方法,其中沸石结合的沸石触媒及第二种触媒系位在不同的触媒床上。29.如申请专利范围第26项之方法,其中沸石结合的沸石触媒及第二种触媒系位在相同的触媒床上。30.如申请专利范围第26项之方法,其中沸石结合的沸石触媒及第二种触媒系位在相同的反应器内。31.如申请专利范围第25项之方法,其中至少30%的乙苯被转化。32.如申请专利范围第31项之方法,其中至少50%的乙苯被转化。33.如申请专利范围第26项之方法,其中第二种触媒为没有含明显量的非沸石黏着剂之沸石结合的沸石触媒,且含:(a)中等孔洞大小的第一种沸石之第一种晶体;及(b)含酸性高于第一种沸石的第二种沸石的第二种晶体之黏着剂。34.如申请专利范围第33项之方法,其中第二种触媒含MFI结构型态的第一种沸石;及MFI或MEL结构型态的第二种沸石。35.如申请专利范围第33或34项之方法,其中第二种触媒还含有效量的至少一种催化性的氢化金属。36.如申请专利范围第25项之方法,其中令该供料与适用于二甲苯异构化之酸性非沸石触媒进一步接触。37.如申请专利范围第25项之方法,其中令该供料与包含结合不定型物之沸石触媒的第二种触媒进一步接触。38.如申请专利范围第25项之方法,其中异构化情形包括温度范围在204至538℃(400至1000℉)及/或压力范围为0.34至6.9MPag(50至1000毫米汞柱)及/或重量小时空间速率为0.5至100及/或氢/烃莫耳浓度比例为0.1至10。
地址 美国