| 主权项 |
1.一种在玻璃底材上形成薄膜电晶体(TFT)之方法, 该方法至少包含下列步骤: 形成第一金属层于该玻璃底材上; 蚀刻该第一金属层以定义闸极结构于该玻璃底材 上; 形成绝缘层于该第一金属层与该玻璃底材上; 形成矽层于该绝缘层上; 形成掺杂矽层于该矽层上表面; 蚀刻该矽层与该掺杂矽层以定义该薄膜电晶体之 通道; 形成复合层于该掺杂矽层与该绝缘层之上表面,其 中该复合层包含作为顶层之接触层与作为 底层之缓冲层,且第二金属层位于该接触层与缓冲 层之间,其中该缓冲层相对于该掺杂矽层 的蚀刻选择性大于1; 蚀刻该复合层以定义源极,汲极结构; 蚀刻被该复合层所曝露之该掺杂矽层;且 形成保护层于该复合层与该绝缘层之上表面,其中 上述之该保护层相对于接触层之蚀刻选择 性大于1。2.如申请专利范围第1项之方法,其中在 形成该保护层之后更包括下列步骤: 蚀刻该保护层以曝露出该源极/汲极结构之上表面 ;且 形成透明导电层于该保护层之上表面,并藉由该保 护层中之导通孔连结该源极/汲极结构。3.如申请 专利范围第1项之方法,其中上述第一金属层之材 料可选择铬、钨、钽、钛、钼、 铝、铝合金或其任意组合。4.如申请专利范围第1 项之方法,其中上述绝缘层之材料可选择氮化层、 氧化层或其任意组 合。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之掺 杂矽层是使用n型离子进行掺杂。6.如申请专利范 围第1项之方法,其中上述接触层之材料可选择铬 、钛或其任意组合。7.如申请专利范围第1项之方 法,其中上述第二金属层之材料可选择铝、铝合金 或其任意组 合。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述缓冲 层之材料可选择铬、钼或其任意组含。9.如申请 专利范围第1项之方法,其中上述保护层之材料可 选择氮化物、氧化物或其任意组 合。10.一种形成于玻璃底材上之薄膜电晶体(TFT) 结构至少包含: 闸极结构,位于该玻璃底材上; 绝缘层,位于该玻璃底材上,用以覆盖该闸极结构; 矽层,形成于该绝缘层上,且位于该闸极结构上方; 掺杂矽层,形成于该矽层之上表面; 复合层,形成于该掺杂矽层之上表面以作为该薄膜 电晶体之源极/汲极结构,其中该复合层 包含了作为顶层之接触层与作为底层之缓冲层,且 一第二金属层位于该接触层与该缓冲层之 间,其中该缓冲层相对于该掺杂矽层之蚀刻选择性 大于1;及 保护层,形成于该矽层与该复合层之上,其中上述 该保护层相对于接触层之蚀刻选择性大于 1。11.如申请专利范围第10项之结构,其中更包括形 成一透明导电层于该保护层之上表面,并 藉由形成该保护层中之导通孔以连结该源极/汲极 结构。12.如申请专利范围第10项之结构,其中上述 第一金属层之材料可选择铬、钨、钽、钛、钼 或其任意组合。13.如申请专利范围第10项之结构, 其中上述接触层之材料可选择铬、钛或其任意组 合。14.如申请专利范围第10项之结构,其中上述第 二金属层之材料可选择铝、铝合金或其任意 组合。15.如申请专利范围第10项之结构,其中上述 缓冲层之材料可选择铬、钼或其任意组合。16.一 种在玻璃底材上形成薄膜电晶体(TFT)之方法,该方 法至少包含下列步骤: 形成第一金属层于该玻璃底材上; 蚀刻该第一金属层以定义闸极结构于该玻璃底材 上; 形成绝缘层于该第一金属层与该玻璃底材上; 形成矽层于该绝缘层上; 形成掺杂矽层于该矽层上; 蚀刻该掺杂矽层与该矽层以定义该薄膜电晶体之 通道; 形成复合层于该掺杂矽层与该绝缘层之上表面,其 中该复合层包含作为顶层之接触层与作为 底层之缓冲层,且一第二金属层位于该接触层与缓 冲层之间; 蚀刻该复合层以定义源极/汲极结构,其中该缓冲 层相对于该掺杂矽层的蚀刻选择性大于1 ; 移除被该复合层所曝露之该掺杂矽层;且 形成保护层于该复合层、该矽层与该绝缘层之上 表面; 蚀刻该保护层与该绝缘层以曝露出该源极/汲极结 构之上表面,其中该保护层相对于该接触 层之蚀刻选择性大于1;且 形成透明导电层于该保护层之上表面,并藉由形成 该保护层中之导通孔以连结该源极/汲极 结构。17.如申请专利范围第16项之方法,其中上述 接触层之材料可选择铬、钛或其任意组合。18.如 申请专利范围第16项之方法,其中上述第二金属层 之材料可选择铝、铝合金或其任意 组合。19.如申请专利范围第16项之方法,其中上述 缓冲层之材料可选择铬、铝或其任意组合。图式 简单说明: 第一图为绝缘透明底材之截面图,显示根据传统技 术所形成薄膜电晶体-液晶显示器之 结构; 第二图为绝缘透明底材之截面图,显示根据传统技 术形成保护层结构时所产生之缺陷; 第三图为绝缘透明底材之截面图,显示根据本发明 形成闸极结构与像素电极之步骤; 第四图为绝缘透明底材之截面图,显示根据本发明 形成绝缘层与非晶矽层之步骤; 第五图为绝缘透明底材之截面图,显示根据本发明 形成作为源极/汲极结构之复合层其 步骤; 第六图为绝缘透明底材之截面图,显示根据本发明 形成保护层之步骤; 第七图为绝缘透明底材之截面图,显示根据本发明 形成透明导电层之步骤。 |
