| 主权项 |
1.一种强电介体,其特征为:上述强电介体系显示整 体之98%以上的强铁磁性,上述强电介 体为铋(Bi)及第1元素与第2元素与氧(O)所成,同时第 1元素为钠(Na)、钾(K)、钙(Ca)、钡 (Ba)、锶(Sr)、铅(Pb)及(Bi)所成群之至少其中之一种 ,第2元素为铁(Fe)、钛(Ti)、铌 (Nb)、钽(Ta)及钨(W)所成群之至少其中的一种层状 结晶构造氧化物所构成。2.如申请专利范围第1项 所记载之强电介体,其中上述强电介体为单晶所构 成。3.如申请专利范围第1项所记载之强电介体,其 中上述第1元素为锶(Sr),且第2元素为钽 (Ta)所成。4.一种记忆元件系于强电介体膜连接一 对电极,其特征为:上述之强电介体膜是藉由电极 使 外加电压领域中的98%以上显示强铁磁性之强电介 体所成。5.如申请专利范围第4项所记载之记忆元 件,其中上述强电介体膜的一部份至少是藉着铋 (Bi)及第1元素及第2元素及氧(O)所成之层状结晶构 造氧化物所构成,同时第1元素为钠(Na) 、钾(K)、钙(Ca)、钡(Ba)、锶(Sr)、铅(Pb)及铋(Bi)所 成群之至少其中之一种,第2元素为 铁(Fe)、钛(Ti)、铌(Nb)、钽(Ta)及钨(W)所成群之至少 其中的一种所构成。6.如申请专利范围第5项所记 载之记忆元件,其中上述第1元素为锶(Sr),且第2元 素为钽 (Ta)所成。7.一种强电介体之制造方法,包含以下步 骤: 使构成上述强电介体的结晶生长之结晶生长步骤; 及, 构成使上述强电介体之结晶的至少一部份生长后, 至少于其中一部份外加电压以修正存在于 构成上述强电介体结晶时之至少部份晶格的变形 之电压外加步骤。8.如申请专利范围第7项所记载 之强电介体的制造方法,其中上述电压外加步骤系 外加交流 电压者。9.如申请专利范围第7项所记载之强电介 体的制造方法,其中上述电压外加步骤系改变电场 方向而至少各交互外加1次之1脉波直流电压者。10 .如申请专利范围第7项所记载之强电介体的制造 方法,其中上述电压外加步骤系外加可产 生矫顽电场1.5倍以上之电场大小的电压。11.如申 请专利范围第7项所记载之强电介体的制造方法, 其中上述电压外加步骤系可加热进 行者。12.如申请专利范围第7项所记载之强电介体 的制造方法,其中上述电压外加步骤系未调节温 度而进行者。13.如申请专利范围第7项所记载之强 电介体的制造方法,其中上述强电介体为铋(Bi)及 第1 元素与第2元素与氧(O)所成,同时第1元素为钠(Na)、 钾(K)、钙(Ca)、钡(Ba)、锶(Sr)、铅 (Pb)及(Bi)所成群之至少其中之一种,第2元素为铁(Fe )、钛(Ti)、铌(Nb)、钽(Ta)及钨(W) 所成群之至少其中的一种层状结晶构造氧化物所 构成。14.如申请专利范围第13项所记载之强电介 体的制造方法,其中上述第1元素为锶(Sr),且第 2元素为钽(Ta)所成。15.一种于强电介体上连接一 对电极之记忆元件的制造方法,包含以下步骤: 形成强电介体之强电介体膜形成步骤;及 使上述强电介体膜的至少一部份生长后,至少于上 述强电介礼膜一部份外加电压以修正存在 于构成上述强电介体膜时之至少部份晶格的变形 之电压外加步骤。16.如申请专利范围第15项所记 载之记忆元件的制造方法其中上述电压外加步骤 是外加记忆 驱动电压以上大小的电压。17.如申请专利范围第 15项所记载之记忆元件的制造方法,其中上述电压 外加步骤系外加可 产生矫顽电场1.5倍以上之电场大小的电压。18.如 申请专利范围第15项所记载之记忆元件的制造方 法,其中上述强电介体膜的一部份至 少是藉着铋(Bi)及第1元素与第2元素与氧(O)所成之 层状结晶构造氧化物所构成,同时第1元 素为钠(Na)、钾(K)、钙(Ca)、钡(Ba)、锶(Sr)、铅(Pb) 及(Bi)所成群之至少其中的一种, 第2元素为铁(Fe)、钛(Ti)、铌(Nb)、钽(Ta)及钨(W)所 成群之至少其中的一种所构成。19.如申请专利范 围第15项所记载之记忆元件的制造方法,其中上述 第1元素为锶(Sr),且第 2元素为钽(Ta)所成。图式简单说明: 第一图是表示本发明第1实施形态之层状结晶构造 氧化物之概念图。 第二图是表示结晶1组成之X射线衍射模式图(a),同 时表示反射高能电子衍射.模拟. 模式(b)。 第三图是表示结晶1表面之光学显微镜照片。 第四图是表示结晶1之尼科耳偏光镜下明暗变化的 光学显微镜照片。 第五图是表示将第四图转动45的结晶1在尼科耳偏 光镜下明暗变化的光学显微镜照片 。 第六图是表示结晶2在尼科耳偏光镜下明暗变化的 偏光显微镜照片。 第七图是表示观察电压外加步骤之结晶变化时所 使用的装置构成图。 第八图是表示电压外加步骤之结晶1的光学各向异 性变化之偏光显微镜照片。 第九图是表示延续第八图之结晶1的光学各向异性 变化之偏光显微镜照片。 第十图是表示延续第九图之结晶1的光学各向异性 变化之偏光显微镜照片。 第十一图是表示结晶1之强铁磁性磁滞之特性图。 第十二图是表示结晶1相关之电压外加时间与Pr(自 然极化値)间的关系之特性图。 第十三图是表示本发明第2实施形态之记忆单元的 构成图。 |
