半导体存储器件及其制造方法和掩膜数据制备方法

摘要

一电容性绝缘膜和一上部电极被形成圆筒状的下部电极的内部表面以形成一电容性单元。接近该电容性单元单元,形成具有与电容性单元的深度相同的深度的一凹槽,并且在它的内部表面形成导电层。导电层和上部电极被上部电极延伸部分连接,并且在凹槽内底部,上部电极接触件连接到导电层。

主权项

1.一种半导体存储器件，其特征在于包括：一层间绝缘膜；形成在层间绝缘膜内的圆筒状的下部电极；形成在下部电极的内部表面的电容性绝缘膜；形成为与下部电极相对并在他们之间夹入电容性绝缘膜的上部电极；形成在层间绝缘膜内的圆筒状的凹槽；形成在凹槽的内部表面上的导电层；连接上部电极和导电层的上部电极延伸部分；形成在层间绝缘膜上并且连接到在凹槽底部的导电层的上部电极接触件；以及形成在层间绝缘膜上并且连接到上部电极接触件的上部电极配线。