| 发明名称 | 改善与铜粘附力的方法 | ||
| 摘要 | 通过提供插入的含锗层,诸如氮化硅和二氧化硅等弱粘附材料表现出与铜粘附力得到改善。含锗层是铜锗化物、锗氧化物、氮化锗或它们的组合。含锗层提高了粘附力,使得弱粘附层从铜部件的分层减少。 | ||
| 申请公布号 | CN1269606A | 申请公布日期 | 2000.10.11 |
| 申请号 | CN99126107.0 | 申请日期 | 1999.12.10 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 文森特·J·迈哥亥;托马斯·A·伊沃斯;亨利·A·尼耶三世;乔伊斯·C·刘 |
| 分类号 | H01L23/52;H01L21/28;H01L21/768 | 主分类号 | H01L23/52 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.半导体结构，包括：安置在半导体器件里的铜部件；安置在铜部件的至少一个表面上，从铜锗化物、锗氧化物、氮化锗和它们的组合组成的组中选择的至少一种含锗材料层；和安置在含锗层上的弱粘附到铜的材料层。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||