| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种覆盖半导体器件衬底(10)的互连。在一个实施例中,导电势垒层覆盖部分互连,钝化层(92)覆盖导电势垒层,且钝化层(92)具有暴露部分导电势垒层(82)的窗口。在一个变通实施例中,钝化层(22)覆盖互连,钝化层(22)具有暴露互连的窗口(24),且导电势垒层(32)覆盖窗口(24)中的互连。 | ||
| 申请公布号 | CN1269607A | 申请公布日期 | 2000.10.11 |
| 申请号 | CN00104927.5 | 申请日期 | 2000.04.04 |
| 申请人 | 摩托罗拉公司 | 发明人 | 亚力山大·L·巴尔;苏勒士·梵卡特散;戴维·B·克勒格;勒波卡·G·考尔;奥鲁布恩米·阿德突突;斯杜尔特·E·格力尔;布瑞安·G·安舍尼;拉姆那施·凡卡特拉曼;格勒帼·布雷科尔曼;道格拉斯·M·勒博;斯蒂芬·R·克朗 |
| 分类号 | H01L23/522;H01L21/768;H01L21/28 | 主分类号 | H01L23/522 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征是：覆盖半导体器件衬底(100)的第一互连(114)；覆盖第一互连(114)的绝缘势垒层(122)；覆盖部分第一互连(114)和部分绝缘势垒层(122)的键合焊点互连(128)；覆盖部分键合焊点互连(128)的导电势垒层(82)，此导电势垒层(82)延伸到部分键合焊点互连(128)的边沿区以外；以及覆盖导电势垒层(82)的钝化层(92)，此钝化层(92)具有暴露部分导电势垒层(82)的窗口。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺斯 | ||