| 主权项 |
1.一种形成薄膜电阻的方法,该方法至少包含下列步骤:提供一具有源极,汲极及闸极之半导体元件其中金属矽化物分别在源极,汲极及闸极上形成;在该半导体上形成一介电层;在该内界电层上形成一薄膜电阻;非等向性蚀刻该内介电层以形成接触插塞;在该内介电层及薄膜电阻上形成一阻障金属层;在该阻障金属层上形成一金属层,其中该金属层回填连接该插塞;在该金属层上形成第二光阻层,其中该第二光阻层定义金属区;将未被该第二光阻层覆盖之该金属层移除;将该薄膜电阻上的该金属层回蚀;及移除该第二光阻层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导体上的该金属矽化物可由自行对准金属矽化物制程形成。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之连接插塞可由离子蚀刻法形成。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述形成该薄膜电阻方法更包含下列步骤:在该薄膜电阻上形成第一光阻层;移除未被该第一光阻层覆盖之该薄膜电阻之部分;及移除该第一光阻层。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之内介电层可为硼磷矽玻璃且由化学气相沉积法形成。6.一种形成薄膜电阻的方法,该方法至少包含下列步骤:提供一具有源极,汲极及闸极之半导体元件其中金属矽化物分别在源极,汲极及闸极上形成;在该半导体上形成一内介电层;在该内介电层上形成一薄膜电阻;在该薄膜电阻上形成一氧化层;非等向性蚀刻该内介电层以形成接触插塞;移除在该薄膜电阻上之氧化层;在该内介电层及薄膜电阻上形成一阻障金属层;在该阻障金属层上形成一金属层,其中该金属层回填连接插塞;在该金属层上形成第二光阻层,其中该第二光阻层定义金属区;将未被该第二光阻层覆盖之该金属层移除;将该薄膜电阻上的该金属层回蚀;及移除该第二光阻层。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该半导体上的该金属矽化物可由自行对准金属矽化物制程形成。8.如申请专利范围第6项之方法,其中上述之连接插塞可由离子蚀刻法形成。9.如申请专利范围第6项之方法,其中上述形成该薄膜电阻方法更包含下列步骤:在该薄膜电阻上形成第一光阻层;移除未被该第一光阻层覆盖之该薄膜电阻之部分;及移除该第一光阻层。10. 如申请专利范围第6项之方法,其中上述之内界电层可为硼磷矽玻璃且由化学气相沉积法形成。11. 如申请专利范围第6项之方法,其中上述之氧化层可由化学气相沉积法形成。12. 一种形成薄膜电阻的方法,该方法至少包含下列步骤:提供一具有源极,汲极及闸极之半导体元件其中金属矽化物分别在源极,汲极及闸极上形成;在该半导体上形成一内介电层;在该内介电层上形成一薄膜电阻;非等向性蚀刻该内介电层以形成接触插塞;在该内介电层及薄膜电阻上形成一阻障金属层;在该薄膜电阻上之该阻障金属层移除;在该阻障金属层上形成一金属层,其中该金属层回填连接插塞;在该金属层上形成第二光阻层,其中该第二光阻层定义金属区;将未被该第二光阻层覆盖之该金属层移除;将该薄膜电阻上的该金属层回蚀;及移除该第二光阻层。13. 如申请专利范围第12项之方法,其中该半导体上的该金属矽化物可由自行对准金属矽化物制程形成。14. 如申请专利范围第12项之方法,其中上述之连接插塞可由离子蚀刻法形成。15. 如申请专利范围第12项之方法,其中上述形成该薄膜电阻方法更包含下列步骤:在该薄膜电阻上形成第一光阻层;移除未被该第一光阻层覆盖之该薄膜电阻之部分;及移除该第一光阻层。16. 如申请专利范围第12项之方法,其中上述之内介电层可为硼磷矽玻璃且由化学气相沉积法形成。 |
