| 主权项 |
1.一种自动对准形成接着垫的方法,包括下列步骤:提供一基底,其上已设有定义过之一第一导电层与一第一绝缘层,其中一定义过之第二绝缘层覆盖在该基底上,以形成一接触窗暴露出该基底;形成一第二导电层于该基底上;形成一光阻罩幕于该第二导电层上;透过该光阻罩幕去除部分该第二导电层,以保留位置对应于该接触窗之该第二导电层;移除该光阻罩幕;以及去除剩余之该第二导电层,以形成一接着垫填充在该接触窗中。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中第一导电层与该第二导电层之材质为复晶矽。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一绝缘层之材质为氧化物。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一绝缘层之材质为氮化矽。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二绝缘层之材质为氧化物。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二绝缘层之材质为氮化矽。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中去除该剩余之第二导电层,以形成一接着垫之步骤系以回蚀法进行。8.一种自动对准形成接着垫的方法,包括下列步骤:提供一基底,其上已设有定义过之一第一导电层与一第一绝缘层,其中一定义过之第二绝缘层覆盖在该基底上,以形成一接触窗暴露出该基底;形成一第二导电层于该基底上;去除部分该第二导电层,至暴露出该第一绝缘层为止,以在该接触窗中形成一接着垫,并在部分该介电层上残留部分该第二导电层;形成一光阻罩幕覆盖于该接着垫上;透过该光阻罩幕去除该介电层上剩余之该第二导电层;以及去除该光阻罩幕。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中第一导电层与该第二导电层之材质为复晶矽。10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该第一绝缘层之材质为氧化物。11.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该第一绝缘层之材质为氮化矽。12.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该第二绝缘层之材质为氧化物。13.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该第二绝缘层之材质为氮化矽。14.如申请专利范围第8项所述之方法,其中去除该第二导电层,以形成一接着垫之步骤系以回蚀法进行。图式简单说明:第一图A至第一图C绘示为习知的一种接着垫之结构剖面图;第二图A至第二图D绘示依照本发明一较佳实施例的接着垫之制造流程图;以及第三图A与第三图B所示为第二图B与第二图C之步骤对调之结构剖面图。 |
