PROCEDE ET APPAREIL A CONTRASTE DE TENSION POUR INSPECTER DES SEMI-CONDUCTEURS EN UTILISANT UN FAISCEAU DE PARTICULES A BASSE TENSION

摘要

L'invention concerne un procédé de détection de défauts dans un substrat configuré. Il comprend les étapes consistant à : diriger sur le substrat un faisceau de particules chargées, balayer (122) le faisceau transversalement au substrat; optimiser (120) des paramètres du faisceau afin d'améliorer l'uniformité et le contraste d'une image résultante ainsi que la vitesse d'acquisition d'image; acquérir (124) au moins une image partielle d'une première zone du substrat à partir de particules chargées du substrat, ce qui inclut de charger une deuxième zone du substrat et de réaliser l'imagerie de la première zone, la deuxième zone comprenant la première zone; et comparer (126) l'image acquise à une référence afin d'identifier des défauts dans le substrat configuré. Le procédé peut inclure aussi la génération et l'utilisation d'une matrice de performance pour l'optimisation des paramètres, l'utilisation d'un faisceau de noyage et d'un faisceau focalisé respectivement pour charger une zone relativement grande et interroger une zone plus petite incluse dans la précédente. L'invention concerne en outre un appareil correspondant.