| 发明名称 |
Verfahren und Vorrichtung zur mikrowellenunterstützten CVD von Siliciumoxidschichten bei niedriger Temperatur |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
DE69610005(D1) |
申请公布日期 |
2000.10.05 |
| 申请号 |
DE19966010005 |
申请日期 |
1996.03.29 |
| 申请人 |
FRANCE TELECOM, PARIS |
发明人 |
MOISAN, MONIQUE;PAVY, DOMINIQUE;MOISAN, HERVE |
| 分类号 |
C23C16/40;C23C16/452;C23C16/511;(IPC1-7):C23C16/40;C23C16/44;C23C16/50;G02B6/12 |
主分类号 |
C23C16/40 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
