INTEGRATED MEMORY WITH MEMORY CELLS THAT ARE PROVIDED WITH RESPECTIVE FERROELECTRIC MEMORY TRANSISTORS

摘要

Die Speicherzellen des integrierten Speichers weisen je einen ferroelektrischen Speichertransistor (T) auf. Die Bitleitungen (BLi) und die Steuerleitungen (Ci) verlaufen senkrecht zu den Wortleitungen (WLi). Die steuerbare Strecke jedes Speichertransistors (T) verbindet eine der Bitleitungen (BLi) mit einer der Steuerleitungen (Ci). Die Steuerelektrode jedes Speichertransistors (T) ist mit einer der Wortleitungen (WLi) verbunden.