| 发明名称 | 适用于半导体化学机械抛光的金属氧化物浆料的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种适用于半导体器件的金属氧化物CMP浆料的制备方法,其中将含有1～50重%的金属氧化物和50～99重%的水的混合物在一个预混合罐中进行混合,借助于一个传输泵通过用高压泵加压以使流动速度不低于100米/秒,将混合物传输至一个分散室中,并在分散室中通过两个孔口进行反方向碰撞分散。本发明的浆料的颗粒具有更窄的颗粒分布,并且显示出30～500纳米的超细颗粒大小。此外,本发明的浆料在其制备的全过程中几乎没有或根本没有污染,并且不表现出尾料现象,从而避免了μ－划痕。因此本发明的浆料可用于通过CMP工艺使浅沟隔离、层间绝缘和中间金属绝缘的平面化。 | ||
| 申请公布号 | CN1268967A | 申请公布日期 | 2000.10.04 |
| 申请号 | CN99800657.2 | 申请日期 | 1999.03.19 |
| 申请人 | 第一毛织株式会社 | 发明人 | 李吉成;李在锡;金硕珍;张斗远 |
| 分类号 | C09G1/02 | 主分类号 | C09G1/02 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 丁业平;王维玉 |
| 主权项 | 1.一种适用于半导体器件的金属氧化物CMP浆料的制备方法，其中将含有1～50重％的金属氧化物和50～99重％的水在一个预混合罐中进行混合的混合物，借助于一个传输泵通过用高压泵加压以使流速不低于100米/秒，将混合物传输至一个分散室中，并在分散室中通过两个孔口进行反方向碰撞分散。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道 | ||