| 发明名称 | 使用选择蚀刻技术形成超导器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于在超导薄膜上使用选择蚀刻技术形成超导器件(232)的方法。该方法利用将离子注入与化学蚀刻结合的快速蚀刻。超导薄膜要保留的部分在离子注入处理(217)中被掩盖(215)。然后化学蚀刻处理以比没有注入的部分(223)快得多的速度去掉超导薄膜经注入的部分(225,227),从而只保留了未注入的部分(223)。得到的超导器件可以用作超微型结构和微型的尖头、辐射热测量计、多层RF线圈、微波波导和滤波器。 | ||
| 申请公布号 | CN1268924A | 申请公布日期 | 2000.10.04 |
| 申请号 | CN98803127.2 | 申请日期 | 1998.01.21 |
| 申请人 | 纽约市哥伦比亚大学托管会 | 发明人 | 马启元;陈名玲 |
| 分类号 | B44C1/22 | 主分类号 | B44C1/22 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 1.一种用于形成超导器件的方法，其特征在于包括步骤：在衬底材料上设置超导薄膜层；用至少一个掩膜覆盖所述超导层的选出部分；将离子注入到所述超导层，其中所述至少一个掩膜在所述选出的部分阻止离子注入；化学蚀刻所述超导层，去掉所述超导层不是选出部分的部分。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||