低压晶体管闪速电可擦可编程只读存储器单元

摘要

一单个晶体管电可擦除可编程存储器件，能够利用Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ隧道效应进行编程和擦除，能够利用低电压进行操作。每个源和漏区的部分和第１栅绝缘层相互重叠，选择多晶硅层间绝缘层使其具有高的介电常数，以便使浮栅、控制栅，源、漏之间的电容耦合率最大。通过首先把单元块的电压升高到高阈值电压和一个一个地降低各选择单元的阈值电压来设置阵列各单元的逻辑状态。

主权项

1.一种电可擦除可编程存储器件，具有许多存储位置，许多行地址线，许多列地址线，许多源线，其中，许多行地址线之一和许多列地址线之一相结合限定了众多存储位置中的一个位置，其中，许多存储位置中的每一个位置包括形成在衬底上的一个单个晶体管，其有一选定电压，并且包括一个源，耦连到许多源线中相关的一个源线上；一个漏，耦连到许多列地址线中相关的一个地址线上；一个控制栅，耦连到许多行地址线中的相关一个地址线上；一个浮栅，位于栅和源，漏之间，还包括，第1元件，当把相关行地址线的电位升高到超过相关一源线电位的第一预定电压时，其引起源到浮栅的电子的Fowler-Nordheim隧道效应，该第一预定电压高于一个相关的源线的电压，选择第一预定电压远远高于相关源线的电压，以引起从源到浮栅的Fowler-Nordheim隧道效应；和第2元件，当把低于衬底的选定电压的预定负电压加到相关行地址线时，其引起浮栅到漏的电子的Fowler-Nordheim隧道效应，选择预定负电压，远远低于相关低线的电压，以引起从浮栅到漏的Fowler-Nordheim隧道效应。