| 发明名称 | 旋转阀磁阻传感器和带有这种旋转阀磁阻传感器的磁头 | ||
| 摘要 | 一种旋转阀磁阻传感器,包括:自由层(2);被栓接层(4),提供在自由层(2)上;及栓接层(5),提供在被栓接层(4)上。被栓接层(4)包括:铁磁性材料的第一被栓接层(4c);铁磁性材料的第二被栓接层(4a),提供在第一被栓接层(4c)上;及中间层(4b),插入在第一与第二被栓接层(4c、4a)之间,从而第一和第二被栓接层(4c、4a)以反向平行方式建立超交换相互作用。第二被栓接层(4a)具有比所述第一被栓接层(4c)的磁矩小的磁矩。 | ||
| 申请公布号 | CN1268733A | 申请公布日期 | 2000.10.04 |
| 申请号 | CN00101159.6 | 申请日期 | 2000.01.26 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 野间贤二;金井均;兼淳一;青岛贤一 |
| 分类号 | G11B5/00 | 主分类号 | G11B5/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 马浩 |
| 主权项 | 1.一种旋转阀磁阻传感器，包括：一个一种铁磁性材料的自由层(2)；一个非磁性层(3)，提供在所述自由层(2)上；一个被栓接层(4)，提供在所述非磁性层(3)上；及一个一种反铁磁性材料的栓接层(5)，提供在所述被栓接层(4)上，所述反铁磁性材料是含锰的有序合金；其特征在于：所述被栓接层(4)包括：一个一种铁磁性材料的第一被栓接层(4c)；一个一种铁磁性材料的第二被栓接层(4a)，提供在所述第一被栓接层(4c)上；及一个中间层(4b)，插入在所述第一与第二被栓接层(4c、4a)之间，从而所述第一和第二被栓接层(4c、4a)以反向平行方式建立超交换相互作用。所述第二被栓接层(4a)具有比所述第一被栓接层(4c)的磁矩小的磁矩。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||