| 摘要 |
<p>Bei einem Halbleitermodul mit einem Basiselement (2), mindestens einem auf dem Basiselement (2) angeordneten Isolationselement (3), welches auf zwei gegenüberliegenden Seiten mit einer Metallschicht (4,5) versehen ist, und mit mindestens einem auf dem Isolationselement (3) angeordneten Halbleiterelement (6) ist mindestens eine der Metallschichten (4,5) gewölbt ausgebildet. Dadurch lassen sich Feldüberhöhungen in den Randzonen minimieren und die Spannungsfestigkeit des Halbleitermoduls erhöhen. <IMAGE></p> |
