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Patente de Invenção: <B>"ELEMENTO DE CONSTRUçãO SEMICONDUTOR"<D>. é sugerido um elemento de construção semicondutor para a ligação de grandes correntes. O elemento de construção semicondutor abrange um arranjo de LIGBT com cubas de p 9, 10 em forma de ilha, as quais apresentam zonas catódicas (12, 21, 20 e 23) construídas de forma especial. Por meio desse arranjo especial é aperfeiçoada a resistência de "Latch-up" do elemento de construção.
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