发明名称 |
Sulfoniloximas para fotorresistores i-line de alta sensibilidade e espessura de alta resistência |
摘要 |
Patente de Invenção: <B>SULFONILOXIMAS PARA FOTORRESISTORES I-LINE DE ALTA SENSIBILIDADE E ESPESSURA DE ALTA RESISTêNCIA"<D>. Uma composição que pode ser ativada por luz, compreendendo pelo menos um composto que possa ser reticulado pela ação de um ácido e/ou de pelo menos um composto que altere sua solubilidade sob a ação de um ácido e como fotoiniciador pelo menos um composto gerador de um ácido sulfónico sob a exposição de luz de um comprimento de onda entre 240 e 390 nm tendo um coeficiente de extinção molar <sym> inferior a 10 a i-line (365 nm) são especialmente adequados para o preparo de fotorresistores negativos e positivos, placas de impressão, materiais de gravação de imagem ou filtros de cor.
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申请公布号 |
BR9903726(A) |
申请公布日期 |
2000.10.03 |
申请号 |
BR1999PI03726 |
申请日期 |
1999.08.17 |
申请人 |
CIBA SPECIALTY CHEMICALS HOLDING INC. |
发明人 |
TOSHIKAGE ASAKURA;HARTMUT BLEIER;CHRISTOPH DE LEO |
分类号 |
H01L21/027;G03F7/004;G03F7/038;G03F7/039;(IPC1-7):G03F7/004 |
主分类号 |
H01L21/027 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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