| 主权项 |
1.一种形成熔丝窗之制程,至少包含以下步骤:提供一半导体基材,其上具有熔丝结构及第一介电层于该熔丝结构之上;形成一第一导体层及一防护层于该第一介电层上,该防护层之区域系大于熔丝窗区域之范围;形成第二介电层于该基材上;去除部分之该第二介电层,以形成连接洞于该第二介电层内、并延伸至该第一导体层,并形成熔丝窗于该第二介电层内该熔丝结构上方处、并延伸至该防护层;形成一第二导体层于该基材上;去除部分之该第二导体层及部分之该防护层至该第一介电层处,以形成第二导体结构于该连接洞内及上方,并向下延伸该熔丝窗至该第一介电层,以形成一防护环环绕于该熔丝窗周围;形成一被覆膜层于该基材上;及去除该熔丝结构上方部分之该被覆膜层,以于该熔丝窗侧壁上留下被覆膜层侧壁。2.如申请专利范围第1项之制程,其中上述之防护层系为部分之该第一导体层。3.如申请专利范围第1项之制程,其中上述之防护环至少包含残余之该防护层及形成于该熔丝窗侧壁之第二导体层侧壁。4.如申请专利范围第1项之制程,其中上述之被覆膜层至少包含一氮化矽层、一氧化矽层、及氮化矽层与氧化矽层之组合中其中之一。5.如申请专利范围第1项之制程,其中上述之去除部分之该被覆膜层之步骤,至少包含以下步骤:形成一光阻层于该被覆膜层上;定义一开口于该光阻层内、该熔丝窗之上方处,该开口之区域较该熔丝窗为小;及以该光阻层为罩幕,蚀刻该被覆膜层。6.如申请专利范围第5项之制程,其中上述之光阻层至少包含一有机高分子层。7.如申请专利范围第6项之制程,更包含于该蚀刻步骤后,进行一热烘烤制程。8.如申请专利范围第1项之制程,其中上述去除部分之该被覆膜层之步骤,系蚀刻至留下部分之第一介电层于该熔丝结构之上方为止。9.如申请专利范围第1项之制程,其中上述去除部分之该被覆膜层之步骤,系蚀刻至该熔丝结构以下,以形成一凸起型熔丝结构。10.如申请专利范围第9项之制程,其中上述之凸起型熔丝结构,具有熔丝上方介电材质及熔丝侧壁介电材质包覆于熔丝上方及侧壁处。11.如申请专利范围第1项之制程,更包含于上述去除部分之该被覆膜层之步骤中,同时形成一接触垫开口至部分之该第二导体结构。12.一种形成熔丝窗之制程,至少包含以下步骤:提供一半导体基材,其上具有熔丝结构及第一介电层于该熔丝结构之上;形成一第一导体层及一防护层于该第一介电层上,该防护层系为部分之该第一导体层,该防护层之区域系大于熔丝窗区域之范围;形成第二介电层于该基材上;去除部分之该第二介电层,以形成连接洞于该第二介电层内、并延伸至该第一导体层,并形成熔丝窗于该第二介电层内该熔丝结构上方处、并延伸至该防护层;形成一第二导体层于该基材上;去除部分之该第二导体层及部分之该防护层至该第一介电层处,以形成第二导体结构于该连接洞内及上方,并向下延伸该熔丝窗至该第一介电层,以形成一防护环环绕于该熔丝窗周围,该防护环至少包含残余之该防护层及形成于该熔丝窗侧壁之第二导体层侧壁;形成一被覆膜层于该基材上;及去除该熔丝结构上方部分之该被覆膜层,以于该熔丝窗侧壁上留下被覆膜层侧壁。13.如申请专利范围第12项之制程,其中上述之被覆膜层至少包含一氮化矽层、一氧化矽层、及氮化矽层与氧化矽层之组合中其中之一。14.如申请专利范围第12项之制程,其中上述之去除部分之该被覆膜层之步骤,至少包含以下步骤:形成一光阻层于该被覆膜层上;定义一开口于该光阻层内、该熔丝窗之上方处,该开口之区域较该熔丝窗为小;及以该光阻层为罩幕,蚀刻该被覆膜层。15.如申请专利范围第14项之制程,其中上述之光阻层至少包含一有机高分子层。16.如申请专利范围第15项之制程,更包含于该蚀刻步骤后,进行一热烘烤制程。17.如申请专利范围第12项之制程,其中上述去除部分之该被覆膜层之步骤,系蚀刻至留下部分之第一介电层于该熔丝结构之上方为止。18.如申请专利范围第12项之制程,其中上述去除部分之该被覆膜层之步骤,系蚀刻至该熔丝结构以下,以形成一凸起型熔丝结构。19.如申请专利范围第18项之制程,其中上述之凸起型熔丝结构,具有熔丝上方介电材质及熔丝侧壁介电材质包覆于熔丝上方及侧壁处。20.如申请专利范围第12项之制程,更包含于上述去除部分之该被覆膜层之步骤中,同时形成一接触垫开口至部分之该第二导体结构。图式简单说明:第一图显示传统制程中所形成之熔丝窗的截面示意图。第二图显示本发明中形成第一导体层及防护层、并形成第二介电层于半导体基材上之截面示意图。第三图显示本发明于形成连接洞及熔丝窗于第二介电层内后、再形成第二导体层于基材上之截面示意图。第四图显示本发明中去除部分之第二导体层以形成第二导体结构、并形成防护环之截面示意图。第五图显示本发明中形成被覆膜层并于熔丝窗侧壁上留下被覆膜层侧壁之截面示意图。第六图显示本发明中于去除部分之被覆膜层时,同时形成接触垫开口于基材上另一位置处之截面示意图。 |
