| 主权项 |
1.一种嵌金结构之平坦化方法,包括下列步骤:提供一半导体基底;形成一第一介电层于该半导体基底上方;形成一第一开口于该第一介电层中;形成一金属层于该第一开口与第一介电层上方;形成一第二介电层于该金属层上方;去除部份该第二介电层,留下覆盖于该第一开口上方之该第二介电层;以及平坦化该金属层。2.如申请专利范围第1项所述之平坦化方法,其中该第一介电层系一氧化层。3.如申请专利范围第1项所述之平坦化方法,其中形成该第一开口的方法系以微影与蚀刻的方法来完成。4.如申请专利范围第1项所述之平坦化方法,其中形成该第一开口之后,更包括:形成一第二开口于该第一开口;其中,该金属层更形成于该第二开口。5.如申请专利范围第4项所述之平坦化方法,其中该第二开口之宽度小于该第一开口之宽度。6.如申请专利范围第1项所述之平坦化方法,其中该金属层系以沉积法来形成。7.如申请专利范围第1项所述之平坦化方法,其中该金属层系以电镀法来形成。8.如申请专利范围第1项所述之平坦化方法,其中该第二介电层系以沉积法来形成。9.如申请专利范围第1项所述之平坦化方法,其中该第二介电层系以涂布法来形成。10.如申请专利范围第1项所述之平坦化方法,其中去除部份该第二介电层的方法系以微影与蚀刻的方法。11.如申请专利范围第1项所述之平坦化方法,其中平坦化该金属层的方法系一化学机械研磨法。12.如申请专利范围第1项所述之平坦化方法,其中该平坦化该金属层的方法系利用该金属层与第二介电层的去除率比。13.一种嵌金结构之平坦化方法,用以在位于一半导体基底上方具有一开口之一第一介电层中形成一嵌金结构,该平坦化方法包括:形成一金属层于该开口与第一介电层上方;形成一第二介电层于该金属层上方;去除部份该第二介电层,留下覆盖于该第一开口上方之该第二介电层;以及平坦化该金属层。14.如申请专利范围第13项所述之平坦化方法,其中该第一介电层系一氧化层。15.如申请专利范围第13项所述之平坦化方法,其中该嵌金结构系一双重嵌金结构。16.如申请专利范围第13项所述之平坦化方法,其中该金属层系以沉积法来形成。17.如申请专利范围第13项所述之平坦化方法,其中该第二介电层系以沉积法来形成。18.如申请专利范围第13项所述之平坦化方法,其中去除部份该第二介电层的方法系以微影与蚀刻的方法。19.如申请专利范围第13项所述之平坦化方法,其中平坦化该金属层的方法系一化学机械研磨法。20.如申请专利范围第13项所述之平坦化方法,其中平坦化该金属层的方法系利用该金属层与第二介电层的去除率比。图式简单说明:第一图-第一图D绘示乃传统一种双重嵌金法之制造步骤的剖面示意图;第二图绘示乃传统一种具有多数开口之双重嵌金法在进行化学机械研磨法后之剖面示意图;以及第三图A-第三图C绘示依照本发明一较佳实施例的一种嵌金结构之平坦化制程剖面图。 |
