| 主权项 |
1.一种静电放电防护装置,该装置至少包含:一具有源极,汲极,闸极与轻掺杂汲极区之金属氧化物半导体场效电晶体;及一静电防护离子植入区,位于该轻掺杂汲极区之下方,用以导通静电防护电流。2.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之静电防护植入的深度大约与源极/汲极接合处相同。3.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之静电防护植入的浓度在源极/汲极接合处有一极闸,大约与源极/汲极浓度相同。4.一种静电放电防护电路,该电路至少包含一P型电晶体串接一N型电晶体且连接外部接脚,其中N型电晶体之静电防护离子植入区在源极/汲极接合处有最高的浓度。5.如申请专利范围第4项之电路,其中上述之静电防护离子植入区的最大浓度的深度约在0.2到0.3微米。6.如申请专利范围第4项之电路,其中上述之静电防护离子植入区的最大浓度约为1019/cm3。7.一种静电放电防护电晶体,该电晶体至少包含:一源极,汲极,闸极与轻掺杂汲极区;及一静电防护离子植入区,位于该轻掺杂汲极区之下方,用以导通静电防护电流。8.如申请专利范围第7项之电晶体,其中上述之静电防护离子植入区的最大浓度的深度约在0.2到0.3微米。9.如申请专利范围第7项之电晶体,其中上述之静电防护离子植入区的最大浓度约为1019/cm3。图式简单说明:第一图为一传统概要的电路图,图中一半导体元件在输出暂存器与输出垫之间具有一静电保护。第二图为一先前技术的静电防护之离子植入轮廓概要图。第三图为本发明的静电防护之离子植入轮廓概要图。第四图A到第四图D为本发明中形成静电防护电晶体的截面图。 |
