| 主权项 |
1.一种在超薄绝缘体上矽静电放电保护装置之方法,其中包括制备单晶矽基板;包括在其上生成绝缘区域及选择性导电区域、掺入掺杂物于选择性导电层、生成磊晶矽层于所选择的绝缘区域与掺杂过的选择性导电层;加热基板极其上方的结构物以再分布掺杂物由掺杂过的选择性区域进入磊晶生长的矽层。完成结构物中额外层的组装以及将该结构物金属化。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该加热包含在约30分钟到3小时内加热约850℃到1150℃之间。3.如专利申请范围第2项之方法,其中该掺杂包含以剂量在约每平方公分1.10^|1^|2个到每平方公分5.10^|1^|3个之间、能量介于约10仟电子伏特到40仟电子伏特的二氟化硼离子植入而在磊晶成长矽中离子浓度约为每立方公分1.10^|1^|7个。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该掺杂包含以剂量在约每平方公分1.10^|1^|2个到每平方公分5.10^|1^|3个之间、能量介于约10仟电子伏特到40仟电子伏特的二氟化硼离子植入而在磊晶成长矽中离子浓度约为每立方公分1.10^|1^|7个。5.一种在超薄绝缘体上矽基板生成静电放电保护装置之改良方法,其中单晶矽基板的制备包含包含在其上生成绝缘区域及选择性导电区域、导电性区域被掺入掺杂物、在所选择的绝缘区域及掺杂的选择性导电区域磊晶生长矽层;此改良包含将基板及在其上升成的结构物加热以再分布掺杂物由掺杂过的选择性导电区域进入磊晶生长的矽层。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该加热包含在约30分钟到3小时内加热约850℃到1150℃之间。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该掺杂包含以剂量在约每平方公分1.10^|1^|2个到每平方公分5.10^|1^|3个之间、能量介于约10仟电子伏特到40仟电子伏特的二氟化硼离子植入而在磊晶成长矽中离子浓度约为每立方公分1.10^|1^|7个。8.如申请专利范围第5项之方法,其中该掺杂包含以剂量在约每平方公分1.10^|1^|2个到每平方公分5.10^|1^|3个之间、能量介于约10仟电子伏特到40仟电子伏特的二氟化硼离子植入而在磊晶成长矽中离子浓度约为每立方公分1.10^|1^|7个。 |
