| 主权项 |
1.一种具有多衬层之节点接触窗之制造方法,适用于一基底,且该基底上形成有一介电层,该介电层中已形成有一节点接触窗,并裸露出该基底,其包括:于该节点接触窗之周围侧壁上,形成一第一衬层;以及于该第一衬层周缘,形成一第二衬层。2.如申请专利范围第1项所述之具有多衬层之节点接触窗之制造方法,其中该第一衬层之材质系具有良好隔离效果,极少孔隙之特性者。3.如申请专利范围第1项所述之具有多衬层之节点接触窗之制造方法,其中形成该第一衬层之步骤系以低压化学气相沉积法,形成氧化矽材质之该第一衬层。4.如申请专利范围第3项所述之具有多衬层之节点接触窗之制造方法,其中形成该第二衬层之步骤系以低压化学气相沉积法,形成氮化矽材质之该第二衬层。5.如申请专利范围第1项所述之具有多衬层之节点接触窗之制造方法,其中形成该第一衬层之方法更包括进行一非等向性蚀刻制程。6.如申请专利范围第1项所述之具有多衬层之节点接触窗之制造方法,其中该第二衬层之材质系具有较佳的抗蚀刻能力之特性者。7.如申请专利范围第1项所述之具有多衬层之节点接触窗之制造方法,其中形成该第二衬层之步骤系以低压化学气相沉积法,形成氮化矽材质之第二衬层。8.如申请专利范围第1项所述之具有多衬层之节点接触窗之制造方法,其中形成该第二衬层之方法更包括进行一非等向性蚀刻制程。9.一种具有多衬层之节点接触窗之结构与制造方法,适用于一基底,且该基底上形成有一节点接触窗,其包括:于该节点接触窗之周围侧壁上,形成一隔离衬层;以及于该隔离衬层之周缘,形成一抗蚀刻衬层。10.如申请专利范围第9项所述之具有多衬层之节点接触窗之制造方法,其中形成该隔离衬层之步骤系以低压化学气相沉积法,形成氧化矽材质之隔离衬层。11.如申请专利范围第10项所述之具有多衬层之节点接触窗之制造方法,其中形成该抗蚀刻衬层之步骤系以低压化学气相沉积法,形成氮化矽材质之抗蚀刻衬层。12.如申请专利范围第9项所述之具有多衬层之节点接触窗之制造方法,其中形成该隔离衬层之方法更包括进行一非等向性蚀刻步骤。13.如申请专利范围第9项所述之具有多衬层之节点接触窗之制造方法,其中形成该抗蚀刻衬层之步骤系以低压化学气相沉积法,形成氮化矽材质之抗蚀刻衬层。14.如申请专利范围第9项所述之具有多衬层之节点接触窗之制造方法,其中形成抗蚀刻层之方法更包括进行一非等向性蚀刻步骤。15.一种具有多衬层之节点接触窗之结构,其包括:一基底;一介电层,该介电层位于该基底之上,且该介电层具有一节点接触窗,并裸露出该基底;一第一衬层,该第一衬层位于该节点接触窗之周围侧壁上;以及一第二衬层,该第二衬层覆盖该第一衬层之周缘。16.如申请专利范围第15项所述之具有多衬层之节点接触窗之结构,其中该第一衬层之材质包括氧化矽。17.如申请专利范围第16项所述之具有多衬层之节点接触窗之结构,其中该第二衬层之材质包括氮化矽。18.如申请专利范围第15项所述之具有多衬层之节点接触窗之结构,其中该第二衬层之材质包括氮化矽。19.一种具有多衬层之节点接触窗之结构,其包括:一基底;一介电层,该介电层位于该基底之上,且该介电层具有一节点接触窗,并裸露出该基底;一隔离衬层,该隔离衬层位于该节点接触窗之周围侧壁上;以及一抗蚀刻衬层,该抗蚀刻衬层覆盖该隔离衬层之周缘。20.如申请专利范围第19项所述之具有多衬层之节点接触窗之结构,其中该隔离衬层之材质包括氧化矽。21.如申请专利范围第20项所述之具有多衬层之节点接触窗之结构,其中该抗蚀刻衬层之材质包括氮化矽。22.如申请专利范围第19项所述之具有多衬层之节点接触窗之结构,其中该抗蚀刻衬层之材质包括氮化矽。图式简单说明:第一图系显示习知一种具有衬层之节点接触窗的剖面图;以及第二图A至第二图C系显示根据本发明较佳实施例之具有多衬层之节点接触窗之结构与制造方法之流程剖面图。 |
