| 主权项 |
1.一种电子束直接描绘方法,包含如下步骤: 将在一晶片上之半导体装置图案的电子束直接描 绘之 描绘资料转换为可辨识之形式; 将所转换之该描绘资料分割成作为电子束偏转领 域之 复数个区域; 以重覆且步进方法将对应于被分割成之复数个区 域之 每一个的该描绘资料描绘于该晶片上; 其中该经转换之描绘资料分割步骤的执行,系以该 晶 片为单位而将该描绘资料分割成该复数个区域。2 .如申请专利范围第1项之电子束直接描绘方法,其 中, 该经转换之描绘资料分割步骤包含如下步骤: 辨识该晶片尺寸,将该晶片尺寸分割为复数个区域 , 并辨识每个所分割之该区域的晶片内座标资讯;以 及 根据所辨识之分割区域之晶片内座标资讯而分割 该描 绘资料为复数个区域。3.一电子束直接描绘系统, 包含: 一记忆体,储存描绘资料之记忆体,此描绘资料系 转 换为可辨识之形式,用于一晶片上之一半导体装置 图案 一主体,用于根据该描绘资料将电子束曝露于该晶 片上; 一记录媒体; 以及 一描绘控制部,用于根据记录于该记录媒体之一程 式,读取储存于该记忆体之该描绘资料,并将该描 绘资料 分割成作为电子束偏转领域之复数个区域,并以该 主体暴 露电子束时,以重覆且步进方法将对应于每个所分 割之复 数个区域的该描绘资料描绘于该晶片上; 其中该描绘控制部辨识该晶片尺寸,并以该晶片为 单 位而将该描绘资料分割成该复数个区域。4.如申 请专利范围第3项之电子束直接描绘系统,其中: 该描绘控制部辨识该晶片之尺寸,将该晶片尺寸分 割 为该复数个区域,并辨识每个所分割之该区域晶片 内座标 资讯,并依据该每个所分割之区域所辨识之晶片内 座标资 讯,将该描绘资料分割为复数个区域。5.一种记录 媒体,用于记录将半导体装置图案以电子束直 接描绘在一晶片中之控制程式,其中,该控制程式 包含如 下之执行步骤 : 将已转换为可辨识形式之描绘资料,以该晶片为单 位,而分割成作为电子束偏转领域之该复数个区域 ; 以及 当暴露电子束时,以重覆且步进方法将对应于被分 割 成之复数个区域之每一个的该描绘资料描绘于该 晶片上。6.如申请专利范围第5项之记录媒体,其中 : 该描绘资料分割处理步骤包含如下步骤: 辨识该晶片之尺寸,并将该晶片尺寸分割为该复数 个 区域,并且辨识每个分割区域之晶片内的座标资讯 ;以及 根据所辨识之各分割区域之晶片内座标资讯而分 割该 描绘资料为复数个区域。 |
