| 主权项 |
1.一种自分子结构中含有-CO-CO-O-部份之化合物中 释出一氧化碳之方法,其包括在一具有 三价或五价磷原子及至少一碳一磷键之有机磷化 合物之存在下加热此化合物至范围在50至 450℃中之温度,其中该有机磷化合物之用量为0.001 至50莫耳%(以该在结构中含有 -CO-CO-O-之化合物的量为基准)。2.如申请专利范围 第1项之方法,其中该有机磷化合物是一种鏻盐,膦, 二卤化膦或氧化膦 。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该有机磷化 合物是一种四芳基鏻盐,三芳基膦,二卤 化三芳基膦或氧化三芳基膦。4.如申请专利范围 第1项之方法,其中该有机磷化合物是一种卤化四 芳基鏻,氢二卤化四芳 基鏻,或二卤化三芳基膦。5.如申请专利范围第1项 之方法,其中含有-CO-CO-O-部份之化合物为草酸二苯 酯,草酸双 (4-氯苯基)酯,氯二羟醋酸苯酯,氯二羟醋酸4-甲基 苯酯,氯二羟醋酸4-甲氧基苯酯,苯基 二羟醋酸苯酯,苯二羟醋酸4-氯苯酯,草酸二甲酯,2- rjtg吩基二羟醋酸苯酯或2-喃基二 羟醋酸苯酯。6.一种自分子结构中含有-CO-CO-O-部 份之化合物中释出一氧化碳之方法,其包括在一具 有 三价或五价磷原子及至少一碳-磷键之有机磷化合 物及一含卤原子之化合物之存在下加热此 化合物至范围在50至450℃中之温度,其中该有机磷 化合物之用量为0.001至50莫耳%(以该在 结构中含有-CO-CO-O-之化合物的量为基准),且该含 卤原子之化合物用量对每莫耳该有机磷 化合物而言为0.001至300莫耳。7.如申请专利范围第 6项之方法,其中该有机磷化合物是一种鏻盐,膦,二 卤化膦或氧化膦 。8.如申请专利范围第6项之方法,其中该有机磷化 合物是一种四芳基鏻盐,三芳基膦,二卤 化三芳基膦或氧化三芳基膦。9.如申请专利范围 第6项之方法,其中该有机磷化合物是一种卤化四 芳基鏻,氢二卤化四芳 基鏻,或二卤化三芳基膦。10.如申请专利范围第6 项之方法,其中该含卤原子之化合物是一有机或无 机卤化物。11.如申请专利范围第6项之方法,其中 含卤原子之化合物择自铝之卤化物,属铂族之金属 的 卤化物,磷之卤化物,卤化氢,硫之卤化物及卤素中 。12.如申请专利范围第6项之方法,其中含卤原子 之化合物是一种具有C-Hal键(Hal意即一卤 原子),-C-Si-Hal键,-C(O)一Hal键或-C-S(O)2键之有机化合 物。13.如申请专利范围第6项之方法,其中含卤原 子之化合物是一含氯原子之化合物。14.如申请专 利范围第6项之方法,其中含有-CO-CO-O-部份之化合 物为草酸二苯酯,草酸双 (4一氯苯基)酯,氯二羟醋酸苯酯,氯二羟醋酸4-甲基 苯酯,氯二羟醋酸4-甲氧基苯酯,苯 基二羟醋酸苯酯,苯二羟醋酸4-氯苯酯,草酸二甲酯 ,2-rjtg吩基二羟醋酸苯酯或2-喃基 二羟醋酸苯酯。15.一种用于使在分子结构中含有- CO-CO-O-部份之化合物进行去羰基化反应的触媒,其 包括 一种具有三价或五价磷原子及至少一碳-磷键之有 机磷化合物。16.一种用于使在分子结构中含有-CO- CO-O-部份之化合物进行去羰基化反应的触媒,其包 括 一种具有三价或五价磷原子及至少一碳-磷键之有 机磷化合物及一含卤原子之化合物,其中 该含卤原子之化合物含量对每莫耳该有机磷化合 物而言为0.001至300莫耳。 |
