| 主权项 |
1.一种半导体封装,至少含半导体晶片,无机质填料 70-95重量部与热硬化性树脂组成物5 -30重量部,备有在前述半导体晶片之电极面与在前 述电极面邻接之端面上接合而一体化之 热传导混合物;及与前述半导体晶片以电气式接续 状态在前述热传导混合物形成之外部取出 电极。2.依申请专利范围第1项记载之半导体封装, 其中在热传导混合物形成与半导体晶片之电极 对应之贯通孔。3.依申请专利范围第1项记载之半 导体封装,其中在贯通孔充填导电性树脂组成物, 外部取 出电极经由前述导电性树脂组成物与半导体晶片 成电气式接续。4.依申请专利范围第3项记载之半 导体封装,其中导电性树脂组成物至少含有由金, 银,铜 ,钯,镍所组成之群体中选出至少1种类之金属粉与 热硬化性树脂及硬化剂。5.依申请专利范围第1项 记载之半导体封装,其中在半导体晶片之电极上形 成突块。6.依申请专利范围第5项记载之半导体封 装,其中突块将热传导混合物贯通与外部取出电极 一体化。7.依申请专利范围第1项记载之半导体封 装,其中无机质填料需为含有由氧化铝,氧化镁, 氮化硼及氮化铝所组成之群体中选出至少1种类之 填料。8.依申请专利范围第1项记载之半导体封装, 其中无机质填料之粒径在0.1-100m之范围。9.依申 请专利范围第1项记载之半导体封装,其中热硬化 性树脂组成物其主成份以含有由环 氧树脂,酚醛树脂,氰酸盐树脂所组成之群体中选 出至少1种类之树脂。10.依申请专利范围第1项记 载之半导体封装,其中热硬化性树脂组成物以含有 作为主成份之 溴化之多功能环氧树脂,更加的含有作为硬化剂之 双酚A型酚醛清漆树脂与作为硬化促进剂 之咪唑。11.依申请专利范围第1项记载之半导体封 装,其中在热传导混合物上更加由结合剂,分散剂 ,着色剂及离型剂所组成之群体中选出至少1种类 添加。12.一种半导体封装,至少含有半导体晶片与 无机质填料70-95重量部及热硬化性树脂组成 物5-30重量部,备有在前述半导体晶片之电极面与 前述电极面邻接之端面上接合而一体化 之热传导混合物;及在一面上形成之电极与前述半 导体晶片以电气式接续状态与前述热传导 混合物接合而一体化,及在其他面上形成外部取出 电极之配线基板。13.依申请专利范围第1项记载之 半导体封装,其中配线基板之主成份与热传导混合 物相同。14.一种半导体封装的制造方法,至少含有 无机质填料70-95重量部及热硬化性树脂组成物5 -30重量部,加上备有藉由在未硬化状态下与具有可 挠性之热传导片状物上将半导体晶片以 面朝下重叠组合之工程及藉由加热加压,在前述半 导体晶片之电极面与前述电极面邻接之端 面上将前述热传导片状物接合,前述热硬化性树脂 组成物硬化的同时,将前述半导体晶片之 电极与外部取出电极之电气式接续工程。15.依申 请专利范围第14项记载之半导体封装的制造方法, 其中加热加压时的温度在170- 260℃之范围。16.依申请专利范围第14项记载之半 导体封装的制造方法,其中加热加压时的压力在1- 20Mpa之范围。17.依申请专利范围第14项记载之半导 体封装的制造方法,其更备有在热传导片状物上将 半 导体晶片以面朝下重叠组合前,在前述热传导片状 物上形成与半导体晶片之电极对应之贯通 孔之工程。18.依申请专利范围第17项记载之半导 体封装的制造方法,其中贯通孔之形成以藉由雷射 加 工,钻孔加工或穿孔加工进行。19.依申请专利范围 第17项记载之半导体封装的制造方法,其中贯通孔 形成后,以更备有在 前述贯通孔上充填导电性树脂组成物之工程。20. 依申请专利范围第19项记载之半导体封装的制造 方法,其中有关在贯通孔上充填导电性 树脂组成物之工程,仅在面向前述贯通孔侧方开口 部之部份充填前述导电性树脂组成物,在 面向前述贯通孔另一方开口部之部份不充填前述 导电性树脂组成物。21.依申请专利范围第19项记 载之半导体封装的制造方法,其中导电性树脂组成 物至少需含 有由金,银,铜,钯,镍所组成之群体中选出至少1种 类之金属粉与热硬化性树脂及硬化剂 。22.依申请专利范围第14项记载之半导体封装的 制造方法,其中在热传导片状物上将复数个 半导体晶片以面朝下的方式重叠组合,在前述复数 个半导体晶片与外部取出电极一体化后, 分割成一个个半导体封装。23.依申请专利范围第 14项记载之半导体封装的制造方法,其中在半导体 晶片之电极上形成 突块后,在热传导片状物上将前述半导体晶片以面 朝下的方式重叠组合。24.依申请专利范围第23项 记载之半导体封装的制造方法,其中将突块在热传 导片状物上贯 通与外部取出电极接续。25.依申请专利范围第14 项记载之半导体封装的制造方法,其中在热传导片 状物之与半导体 晶片的接合面及反侧之面上,将金属箔片重叠一体 化后,将所期望之电极形状图案化,形成 外部取出电极。26.依申请专利范围第14项记载之 半导体封装的制造方法,其中在热传导片状物之与 半导体 晶片的接合面及反侧之面上,在所期望之电极形状 上将图案化之电极图案转抄形成外部取出 电极。27.依申请专利范围第14项记载之半导体封 装的制造方法,其中在热传导片状物之与半导体 晶片的接合面及反侧之面上,藉由表面在所期望之 电极形状上将图案化之配线基板接合一体 化,形成外部取出电极。28.依申请专利范围第14项 记载之半导体封装的制造方法,其中无机质填料需 为含有由氧化 铝,氧化镁,氮化硼及氮化铝所组成之群体中选出 至少1种类之填料。29.依申请专利范围第14项记载 之半导体封装的制造方法,其中无机质填料之粒径 在0.1- 100m之范围。30.依申请专利范围第14项记载之半 导体封装的制造方法,其中热硬化性树脂组成物其 主成 份含有由环氧树脂,酚醛树脂,氰酸盐树脂所组成 之群体中选出至少1种类之树脂。31.依申请专利范 围第14项记载之半导体封装的制造方法,其中热硬 化性树脂组成物含有作 为主成份之溴化之多功能环氧树脂,更加的含有作 为硬化剂之双酚A型酚醛清漆树脂与作为 硬化促进剂之咪唑。32.依申请专利范围第14项记 载之半导体封装的制造方法,其中在热传导混合物 上更加由结 合剂,分散剂,着色剂及离型剂所组成之群体中选 出至少1种类添加。图式简单说明: 第一图表示有关本发明之一种实施形态之半导体 封装之构成截面图。 第二图表示有关本发明之一种实施形态之热传导 片状物之构成截面图。 第三图(a)-第三图(e)表示有关本发明之一种实施形 态之半导体封装之制造方法之工程 图。 第四图(a)-第四图(d)表示有关本发明之一种实施形 态之半导体封装之其他制造方法之 工程别截面图。 第五图(a)-第五图(c)表示有关本发明之一种实施形 态之半导体封装之外部取出电极之 形成方法之工程别截面图。 第六图(a)-第六图(c)表示有关本发明之一种实施形 态之半导体封装之外部取出电极之 其他形成方法之工程别截面图。 第七图(a)-第七图(d)表示有关本发明之一实施形态 之半导体封装之再其他之制造方法 之工程别截面图。 第八图(a)-第八图(d)表示有关本发明之一实施形态 之半导体封装之再其他之制造方法 之工程别截面图。 第九图(a)-第九图(d)表示有关本发明之一实施形态 之半导体封装之再其他之制造方法 之工程别截面图。 第十图表示有关习知技术之半导体封装之截面图 。 |
