| 主权项 |
1.一种显示系统,系使用含有构成基板表面之至少 一部份作为绝缘物质之非单晶半导体膜的 薄膜半导体装置者,其特征为: 含有形成于前述绝缘物质上之主动矩阵部,及形成 于前述绝缘物质上且由前述薄膜半导体装 置所构成之资料驱动部及扫瞄驱动部,而 前述半导体膜含有配置在薄膜电晶体之源极部及 汲极部之第1杂质半导体膜,及配置在薄膜 电晶体之汲极部和通道部之间及源极部和通道部 之间两者中至少一边之高电阻之第2杂质半 导体膜; 前述经由闸极绝缘膜形成于前述半导体膜上之闸 极长度系在5m以下; 前述第2杂质半导体膜之最大杂质浓度系在1101cm-3 -11019cm-3之范围; 前述第1杂质半导体膜之最大杂质浓度系在5101cm-3 -11021cm-3之范围; 前述汲极部或源极部之LDD长度系在0.6m-4m之范 围, 前述资料驱动器部及前述扫瞄驱动器部含有位准 移转器电路及移位暂存器电路,该移位暂存 器电路系用TTL位准以下驱动。2.如申请专利范围 第1项之显示系统,其中前述位准移转器电路之输 入部含有成串联连接之p 型薄膜电晶体和n型薄膜电晶体。3.如申请专利范 围第1项之显示系统,其中 若将汲极部之LDD长度设为L lddd,将汲极部之端子孔 之通道侧之端边迄闸极之距离设为L contd时则有下式之关系, 0.8L lddd≦L contd≦1.2L lddd。图式简单说明: 第一图A-第一图D系表示第1实施例之制造方法之工 程图。 第二图系周边驱动电路内置型主动矩阵LCD之电路 图。 第三图系LDD型TFT之断面图。 第四图系一般构造之TFT之断面图。 第五图系表示LDD型TFT及一般构造之TFT之闸极长和 源极.汲极耐压之关系之特性图。 第六图系表示LDD型TFT及一般构造之TFT之闸极长和 on电流之关系之特性图。 第七图A-第七图C系用为说明CMOS倒反器电路之动作 之图。 第八图A,B系表示薄膜电晶体之转移(transfer)特性之 图。 第九图系表示移位暂存器电路之最高动作频率之 图。 第十图A-第十图C系由单晶MOSFET所构成之CMOS倒反器 电路之情形之电路图,图案图, 晶圆断面图。 第十一图系由TFT所构成之CMOS倒反器之情形之图案 。 第十二图系表示LDD部之掺入量和on电流及off电流 之关系之特性图。 第十三图系表示LDD部之掺入量和on.off比之关系之 特性图。 第十四图系表示LDD部之掺入量和薄板电阻之关系 之特性图。 第十五图系表示源极.汲极部之掺入量和扩散长之 关系之特性图。 第十六图系表示源极.汲极部之掺入量和端子电阻 之关系之特性图。 第十七图系表示LDD长和on电流及off电流之关系之 特性图。 第十八图系表示LDD长和源极.汲极耐压之关系之特 性图。 第十九图系表示为计算寄生电阻等所用之模型之 图。 第二十图系表示非晶质TFT,已往之多晶TFT,本实施 例,单晶MOSFET之载体移动率比和 on电流之一例。 第二十一图A系薄膜半导体装置之构造之一例,第 二十一图B系此薄膜半导体装置之等效 电路图。 |
