| 发明名称 |
Halbleiterspeicheranordnung mit Dummy-Bauelementen auf durchgehenden Diffusionsgebieten |
| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine Halbleiterspeicheranordnung mit wenigstens zwei Speicherzellenfeldern, bei der in der freien Fläche (4) zwischen den Streifen der Sense-Amp-Transistoren (1) der beiden Speicherzellenfelder Dummy-Transistoren (3) vorgesehen sind, um an Rändern (2) der an diese freie Fläche (4) angrenzenden Sense-Amp-Transistoren (1) Nachbarschaftseffekte zu vermeiden.
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| 申请公布号 |
DE19907921(C1) |
申请公布日期 |
2000.09.28 |
| 申请号 |
DE19991007921 |
申请日期 |
1999.02.24 |
| 申请人 |
SIEMENS AG |
发明人 |
CHRYSOSTOMIDES, ATHANASIA;FEURLE, ROBERT;SAVIGNAC, DOMINIQUE;SCHNEIDER, HELMUT |
| 分类号 |
H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/10 |
主分类号 |
H01L21/8242 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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