半导体器件以及半导体器件的制造方法

摘要

一种半导体器件,具有使强电介质的磁滞特性不易劣化、在高温度下可靠性高的特征。形成由细密的氮化硅膜构成的钝化膜以覆盖强电介质电容,防止来自外部的水分渗入。控制钝化膜的成膜气体中SiH₄及NH₃所占的容量百分比,降低钝化膜所包含的氢浓度。强电介质电容的上部电极是将IrO₂和Ir依次堆积而成两层结构的电极,所以在成膜过程中以及成膜之后,钝化膜中的氢含量都比较少。因此,能控制因氢引起的强电介质电容的磁滞特性劣化。

主权项

1.一种半导体器件，包括强电介质层、连接着强电介质层的导体层，以及设置在强电介质层旁边的绝缘层，其特征在于，在使用含有氮化硅的绝缘性材料构成绝缘层的同时，还使用含有带导电性的氧化物的导电性材料来构成导体层。