半导体器件及其制造方法

摘要

在硅基板100内,由浅沟槽103所夹的区域里形成集电极层102,在基板上沉积第一沉积氧化膜108并开一个跨越浅沟槽的一部分的集电极开口部110。在露出于该开口部的基板上,使Si/Si_1-xGe_x层外延生长。在基板上沉积第二沉积氧化膜112,而在Si/Si_1-xGe_x层的部上形成基极开口部118;在端部形成基极结用开口部114。从该开口部114往基板内注入杂质离子,以形成导电型与外部电极相同的结漏电流防止层113。这样,使集电极开口宽度W3大于活性区宽度W2。

主权项

1.一种半导体器件，其形成在半导体基板的活性区内，能用作双极型晶体管，其特征在于包括：器件隔离区，其形成在所述半导体基板的一部分并包围活性区；第1导电型集电极层，其形成在所述半导体基板内，由所述器件隔离区所夹的区域里；绝缘层，其形成在所述半导体基板上，具有跨越所述集电极层和器件隔离区的一部分的集电极开口部；第2导电型基极层，其形成在所述集电极开口部内的所述半导体基板上及所述绝缘层上，包含内部基极和包围该内部基极的外部基极；以及形成在所述内部基极上的第1导电型发射极层。