发明名称 | 具有改良形成端子构造的晶片元件 | ||
摘要 | 一种具有改良形成端子构造的晶片元件,是在本体两端头各形成有镀层端子,此镀层端子具有一包覆镀着于本体端头五面的内保护镀层,与包覆镀着于内保护镀层外部的外锡铅合金镀着层;上述内保护镀层及外锡铅合金镀着层是以真空溅镀方式依序镀着于晶片元件本体全表面外部,再经对部位蚀刻清除内保护镀层及外锡铅合金镀着层,以形成矩形体绝缘部及相互对称与平行的镀层端子;具有较佳连着结合强度、厚度均匀、边线平齐、提高接触效果及品质稳定持久、不易氧化的功效。 | ||
申请公布号 | CN2398717Y | 申请公布日期 | 2000.09.27 |
申请号 | CN99244908.1 | 申请日期 | 1999.09.21 |
申请人 | 青业电子工业股份有限公司 | 发明人 | 王弘光 |
分类号 | H01G4/228;H01F27/28 | 主分类号 | H01G4/228 |
代理机构 | 北京三友专利代理有限责任公司 | 代理人 | 李强 |
主权项 | 1、一种具有改良形成端子构造的晶片元件,包含有呈长方体的本体及形成于本体两端头的镀层端子,其特征在于:上述镀层端子具有一包复镀着于本体端头五面的内保护镀层,与包复镀着于内保护镀层外部的外锡铅合金镀着层;以及,上述内保护镀层及外锡铅合金镀着层是以真空溅镀方式依序镀着于晶片元件本体全表面外部,再经对中央部位蚀刻清除内保护镀层及外锡铅合金镀着层,以形成矩形体中央绝缘部及相互对称与平行的镀层端子。 | ||
地址 | 台湾省桃园县 |