发明名称 Structure of Metal Interconnects Test Device for Via Electromigration
摘要 <p>본 고안은 메탈배선의 테스트 소자의 구조에 관한 것으로서, 반도체 기판과, 상기 반도체 기판위에 길이 방향으로 일정한 간격으로 떨어진 복수개의 제 1 메탈배선과, 상기 제 1 메탈 배선상에 형성된 절연층과, 상기 제 1 메탈 배선과 전기적으로 연결하기 위하여 상기 절연층 내에 형성되며 동시에 길이 방향으로 떨어진 복수개의 콘택 점과, 상기 콘택 점에 위치한 n 개의 비아(Vias)와, 상기 콘택 점에 놓인 상기 n개의 비아와 전기적으로 연결되며 동시에 상기 절연층상에 길이 방향으로 일정한 간격으로 떨어진 복수개의 제 2 메탈배선을 구비한다. 따라서, 본 고안은 콘택 점(Contact Point)에 N개의 비아(Vias)로 비아의 전체 저항을 메탈배선의 저항과 일치하게 구성하여 열 기울기를 최소화하여 보다 정확한 비아(Vias)EM 수명시간을 평가할 수 있는 잇점이 있다.</p>
申请公布号 KR20000016888(U) 申请公布日期 2000.09.25
申请号 KR19990002050U 申请日期 1999.02.10
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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