| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征包括:第一步骤,经由第一绝缘膜(101.201)在半导体基板(100.200)之上形成下层互连线(102.202);第二步骤,在包含该下层互连线的该半导体基板之上形成第二绝缘膜(103.203);第三步骤,在该第二绝缘膜中形成穿通孔(105.205)以通至该下层互连线;第四步骤,在第三步骤结束之后,且在没有将该半导体基板曝露于大气中的情况下蚀刻包含有曝露于穿通孔的底面部分的侧面之该下层互连线的表面;第五步骤在此穿通孔中形成由导电材料制成的插塞(106.206);及第六步骤,在该第二绝缘膜之上形成与该插塞连接的上层互连线(107.207)。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中第三步骤包含如下步骤:在已抽至预定的真空度的一真空容器中藉由采用第一电浆的乾蚀刻来形成穿通孔且第四步骤包含如下步骤:在该真空容器中去除第三步骤中所采用的第一电浆,之后产生第二电浆以蚀刻曝露于穿通孔之该底面部分的该下层互连线之该表面。3.如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法,其中第三步骤包含如下步骤:采用含氟气之电浆作为第一电装进行乾蚀刻,且第四步骤包含如下步骤:采用惰性气体之电浆作为第二电浆进行蚀刻。4.如申请专利范围第3项之半导体装置之制造方法,其中第四步骤包含如下步骤:以比用于产生第一电浆的电源更低的电源来产生第二电浆。5.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中此方法更包含第七步骤:于第二步骤之后,在该第二绝缘膜之上形成具有一开口部分之光阻图案(104.204);第八步骤:于第四步骤之后,将该光阻图案抛光;第九步骤:于第八步骤之后,去除第八步骤的抛光之后所留下的该光阻图案之剩余物,且第三步骤包含如下步骤:藉由采用该光阻图案作为光罩,去除该第二绝缘膜,藉以形成穿通孔。6.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,其中第四步骤包含如下步骤:同时去除在第三步骤中形成于该光阻图案之上的光阻硬化层(104a、204a)和在曝露于穿通孔之该底面部分的该下层互连线之该表面之上的蚀刻反应沈积物(105a、205a)。7.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,尚包含第十步骤:于笑九步骤之后,从曝露于穿通孔之该底面部分的该下层互连线之该表面上去除自然氧化膜。8.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中第一步骤包含:于该下层互连线的该表面之上形成导电的抗反射膜(202a)的步骤。9.一种半导体装置之制造方法,其特征包括:第一步骤,经由第一绝缘膜(101.201),在半导体基板(100.200)之上形成下层互连线(102、202);第二步骤,在包含该下层互连线的该半导体基板之上形成第二绝缘膜(103.203);第三步骤,在该第二绝缘膜之上形成具有一开口部分之光阻图案(104.204);第四步骤,藉由采用含氟气之第一电浆且采用该光阻图案作为光罩的乾蚀刻,选择性地去除该第二绝缘膜,藉以在通至该下层互连线的该第二绝缘膜中形成穿通孔(105.205);第五步骤,在第四步骤结束之后藉由采用惰性气体作为第二电浆且没有曝露该半导体基板于大气中,蚀刻该光阻图案的表面和曝露于穿通孔的底面部分之该下层互连线的表面;第六步骤,藉由采用氧气作为第三电浆,抛光该光阻图案;第七步骤,去除由于第六步骤的抛光所留下之该光阻图案的剩余物,相应地采用以溶剂溶解该光阻图案的湿处理;第八步骤,在此穿通孔中形成由导电材料制成的插塞(106.206);及第九步骤,在该第二绝缘膜之上形成与该插塞连接的上层互连线(107.207)。图式简单说明:第一图A至第一图G是说明依照本发明的第一实施例的半导体装置之制造方法之图式;第二图A至第二图G是说明依照本发明的第二实施例的半导体装置之制造方法之图式;及第三图A至第三图F是说明习用的半导体装置之制造方法的图式。 |
