| 主权项 |
1.一种电容器的制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,该半导体基底至少包括一金氧半电晶体、一接着垫、以及一位元线,其中该位元线上覆盖有一盖层;形成一介电层覆盖该半导体基底;去除部分该介电层,以形成一开口暴露出该接着垫;形成一导电层于该介电层与该开口中;形成一绝缘层于该导电层上,并填满该开口;去除位于该开口以外之该绝缘层与该导电层,以暴露出该介电层之上表面;去除部分该介电层,以暴露出部分该导电层;形成一半球型矽晶粒层于暴露出之该导电层上,其中该导电层、与该半球型矽晶粒层以及该接着垫组合形成一下电极;完全去除该绝缘层;形成一介电膜层覆盖于该下电极上;以及形成一上电极于该介电膜层上。2.如申请专利范围第1项所述之电容器的制造方法,其中该介电层之材质包括二氧化矽。3.如申请专利范围第1项所述之电容器的制造方法,其中该导电层之材质包括已掺杂之多晶矽。4.如申请专利范围第3项所述之电容器的制造方法,其中该导电层之厚度约为500-1000埃。5.如申请专利范围第1项所述之电容器的制造方法,其中去除部分该介电层,以暴露出部分该导电层的步骤会在该盖层上保留厚度约为1000-2500埃的该介电层。6.如申请专利范围第1项所述之电容器的制造方法,其中该盖层之材质包括氮化矽。7.如申请专利范围第1项所述之电容器的制造方法,其中该绝缘层之材质包括氮化矽。8.如申请专利范围第1项所述之电容器的制造方法,其中该半球型矽晶粒层系利用选择性沈积形成。9.如申请专利范围第1项所述之电容器的制造方法,其中该半球型矽晶粒层的形成方法包括下列步骤:全面形成一半球型矽晶粒层于该介电层与该导电层上;以及利用回蚀刻法去除位于介电层上之该半球型矽晶粒层。10.一种电容器下电极的制造方法,适用于一半导体基底上,该半导体基底至少包括一金氧半电晶体、一接着垫、以及一位元线,其中该位元线上覆盖有一盖层,该电容器下电极的制造方法包括下列步骤:形成一介电层覆盖该半导体基底,该介电层具有一开口暴露出该接着垫;形成一导电层于该开口底部的该接着垫上以及侧壁的该介电层上;形成一绝缘层于该导电层上,并填满该开口;去除部分该介电层,暴露出部分该导电层,其中剩余之该介电层在该盖层上具有一特定厚度;形成一半球型矽晶粒层于暴露出之该导电层上;以及去除该绝缘层,其中该半球型矽晶粒层与该导电层以及该接着垫组合形成一下电极。11.如申请专利范围第10项所述之电容器的制造方法,其中该介电层之材质包括二氧化矽。12.如申请专利范围第10项所述之电容器的制造方法,其中该导电层之材质包括已掺杂之多晶矽。13.如申请专利范围第12项所述之电容器的制造方法,其中该导电层之厚度约为500-1000埃。14.如申请专利范围第10项所述之电容器的制造方法,其中该特定厚度约为1000-2500埃。15.如申请专利范围第10项所述之电容器的制造方法,其中该盖层之材质包括氮化矽。16.如申请专利范围第10项所述之电容器的制造方法,其中该绝缘层之材质包括氮化矽。17.如申请专利范围第10项所述之电容器的制造方法,其中该半球型矽晶粒层系利用选择性沈积形成。18.如申请专利范围第10项所述之电容器的制造方法,其中该半球型矽晶粒层的形成方法包括下列步骤:全面形成一半球型矽晶粒层于该介电层与该导电层上;以及利用回蚀刻法去除位于介电层上之该半球型矽晶粒层。图式简单说明:第一图系绘示习知一种具有柱状结构之电容器下电极结构的剖图;第二图绘示为第一图之柱状下电极结构之上视图;以及第三图A至第三图H绘示依照本发明一较佳实施例的一种电容器制作流程图。 |
