| 主权项 |
1.一种金属镶嵌的制造方法,包括:在一基底上欲形成一开口之位置,形成一已图案化之第一罩幕层;在该基底未被该第一罩幕层覆盖之部份上,形成一第一介电层;去除该第一罩幕层,以在该第一介电层中形成该开口;在该基底上形成一阻障层;在该基底上形成一金属层,填满该开口;以及进行一平坦化步骤,以形成该金属镶嵌结构。2.如申请专利范围第1项所述之金属镶嵌的制造方法,其中该第一介电层的材质系选自旋转涂覆聚合物之族群。3.如申请专利范围第2项所述之金属镶嵌的制造方法,其中形成该第一介电层的方法包括旋转涂覆法。4.如申请专利范围第2项所述之金属镶嵌的制造方法,更包括在形成该第一介电层后,去除该第一罩幕层前,进行一部份固化步骤,以使该第一介电层定形。5.如申请专利范围第4项所述之金属镶嵌的制造方法,其中该部份固化步骤,包括在200℃的环境下进行烘烤。6.如申请专利范围第4项所述之金属镶嵌的制造方法,更包括在去除该第一罩幕层后,形成该金属层前,进行一后固化步骤,使该第一介电层聚合物层硬化。7.如申请专利范围第6项所述之金属镶嵌的制造方法,其中该后固化步骤,包括在400℃的环境下进行烘烤。8.如申请专利范围第1项所述之金属镶嵌的制造方法,其中该金属层包括铜金属层。9.如申请专利范围第1项所述之金属镶嵌的制造方法,其中该第一罩幕层包括光阻层。10.如申请专利范围第1项所述之金属镶嵌的制造方法,其中该开口为沟渠、介层窗和接触窗其中之一。11.如申请专利范围第1项所述之金属镶嵌的制造方法,其中该阻障层包括氮化钽。12.一种双重金属镶嵌的制造方法,包括:在一基底欲形成一第一开口之位置上形成一已图案化之第一罩幕层;在该基底未被该第一罩幕层覆盖之部份上,形成一第一介电层;去除该第一罩幕层,以在该第一介电层中形成该第一开口;在包括该第一开口之该第一介电层上,欲形成一第二开口之位置,形成一已图案化之第二罩幕层,并填满该第一开口;在该第一介电层上未被该第二罩幕层覆盖的部份形成一第介电层层;去除该第二罩幕层,以在该第介电层层中形成该第二开口,以及在该第一介电层中形成该第一开口,其中该第一开口与部份该第二开口重叠;在该第二介电层上形成一层阻障层,且覆盖该第一开口和该第二开口之侧壁和底部;在该阻障层上形成一金属层,并填满该第一开口和该第二开口中;以及进行一平坦化步骤,以形成该双金属镶嵌结构。13.如申请专利范围第12项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中该第一介电层和该第二介电层的材质系选自旋转涂覆聚合物之族群。14.如申请专利范围第13项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中形成该第一介电层和第二介电层的方法包括旋转涂覆法。15.如申请专利范围第13项所述之双重金属镶嵌的制造方法,更包括在形成该第一介电层后,去除该第一罩幕层前,进行一第一部份固化步骤,以使该第一介电层定形。16.如申请专利范围第15项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中该第一部份固化步骤,包括在200℃的环境下进行烘烤。17.如申请专利范围第15项所述之双重金属镶嵌的制造方法,更包括在去除该第一罩幕层后,进行一第一后固化步骤,使该第一介电层硬化。18.如申请专利范围第17项所述之金属镶嵌的制造方法,其中该第一后固化步骤,包括在400℃的环境下进行烘烤。19.如申请专利范围第17项所述之双重金属镶嵌的制造方法,更包括在形成该第二介电层后,去除该第二罩幕层前,进行一第二部份固化步骤,以使该第二介电层定形。20.如申请专利范围第19项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中该第二部份固化步骤,包括在200℃的环境下进行烘烤。21.如申请专利范围第19项所述之双重金属镶嵌的制造方法,更包括在去除该第二罩幕层后,形成该金属层前进行一第二后固化步骤,使该第二介电层硬化。22.如申请专利范围第21项所述之金属镶嵌的制造方法,其中该第二后固化步骤,包括在400℃的环境下进行烘烤。23.如申请专利范围第12项所述之金属镶嵌的制造方法,其中该金属层包括铜金属层。24.如申请专利范围第12项所述之金属镶嵌的制造方法,其中该第一罩幕层和该第二罩幕层包括光阻层。25.如申请专利范围第12项所述之金属镶嵌的制造方法,其中该阻障层包括氮化钽。26.如申请专利范围第12项所述之金属镶嵌的制造方法,其中该第一开口为接触窗和介层窗其中之一。27.如申请专利范围第12项所述之金属镶嵌的制造方法,其中该第二开口包括沟渠。图式简单说明:第一图A至第一图C为习知的金属镶嵌制造流程示意图;第二图A和第二图B另一习知金属镶嵌部份制造流程示意图;第三图A至第三图E其绘示依照本发明第一较佳实施例,一种金属镶嵌的制造流程示意图;以及第四图A至第四图E其绘示依照本发明第二较佳实施例,一种双重金属镶嵌制造流程示意图。 |
