| 主权项 |
1.一种包含一互连与一电容器之电子装置,该互连与该电容器包含第一金属层,一介质层与第二金属层之对应部份,该介质层介于该第一金属层与该第二金属层之间,该电子装置进一步包含一通往该互连之该第一金属层与该第二金属层之共用连结与通往该电容器之该第一金属层与该第二金属层之每一层的一分别连结。2.如申请专利范围第1项之电子装置,该电子装置进一步包含:一与该第一金属层及该第二金属层之一金属层形成连续之层际介质层;其中该等柱形成于该层际介质层之孔隙。3.如申请专利范围第1项之电子装置,其中介于该第一金属层与该第二金属层之间的该介质层是一氧化物,一氮化物,与一包含一氧化物与一氮化物之层状结构之一。4.如申请专利范围第3项之电子装置,其中介于该第一金属层与该第二金属层之间的该介质层包含氧化矽与氮化矽之一。5.如申请专利范围第1项之电子装置,其中介于该第一金属层与该第二金属层之间的该介质层是氧化钽。6.如申请专利范围第1项之电子装置,其中介于该第一金属层与该第二金属层之间的该介质层是钡锶钛酸盐。7.一种制造一电子装置之方法,该方法包含下列步骤:沉积第一金属层与一介质层于一表面;使得该第一金属层与该介质层图样化以形成第一孔隙;沉积第二金属层于该介质层;使得该第二金属层图样化以形成第二孔隙来覆盖该第一孔隙,及在该第二孔隙之一边缘连接该第一金属层与该第二金属层。8.如申请专利范围第7项之方法,其中连接该第一金属层与该第二金属层之该步骤进一步包含下列步骤:形成一图样化层际介质层于该第二金属层之上,及沉积导电性材料于该图样化层际介质层之一孔隙。9.如申请专利范围第8项之方法,该方法进一步包含下列步骤:根据该图样化层际介质层之孔隙来使得该介质层图样化。10.如申请专利范围第8项之方法,该方法进一步包含下列步骤:使得该层际介质层平面化。11.如申请专利范围第7项之方法,其中使得该第一金属层与该介质层图样化以形成第一孔隙之该步骤是在沉积第二金属层于该介质层之该步骤之前执行。12.一种由一制程所形成之电子装置,该制程包含下列步骤:沉积第一金属层与一介质层于一表面;使得该第一金属层与该介质层图样化以形成第一孔隙;沉积第二金属层于该介质层;使得该第二金属层图样化以形成第二孔隙来覆盖该第一孔隙,及在该第二孔隙之一边缘连接该第一金属层与该第二金属层。13.如申请专利范围第12项之电子装置,其中连接该第一金属层与该第二金属层之该步骤进一步包含下列步骤:形成一图样化层际介质层于该第二金属层之上,及沉积导电性材料于该图样化层际介质层之一孔隙。14.如申请专利范围第13项之电子装置,该制程进一步包含下列步骤:根据该图样化层际介质层之孔隙来使得该介质层图样化。15.如申请专利范围第13项之电子装置,该制程进一步包含下列步骤:使得该层际介质层平面化。16.如申请专利范围第12项之电子装置,其中使得该第一金属层与该介质层图样化以形成第一孔隙之该步骤是在沉积第二金属层于该介质层之该步骤之前执行。图式简单说明:第一图,第二图与第三图是一基质之横剖面图,而该等图形是用以展示根据本发明之一互连与一电容器的形成;第四图,第五图与第六图是一基质之横剖面图,而该等图形是用以展示根据本发明之一变型之一互连与一电容器的形成,且第七图以横剖面图来展示另一种结构,而该种结构可利用本发明之前述变型之任一变型来形成。 |
