| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离结构的制造方法,包括:提供一基底;在该基底表面形成一罩幕层;定义该罩幕层,用以在该基底中形成一圆弧形沟渠;将该沟渠填满一绝缘物质;以及去除该罩幕层,直至裸露出该基底,以形成该圆弧形浅沟渠隔离结构。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该圆弧形沟渠所暴露出之该基底的任一点之夹角均大于180度。3.如申请专利范围第1或2项所述之方法,其中在该基底和该罩幕层之间更包括形成一垫氧化层。4.如申请专利范围第1或2项所述之方法,其中在将该圆弧形沟渠填满该绝缘物质之前,更包括在该圆弧形沟渠之该基底表面形成一衬氧化层。5.一种浅沟渠隔离结构的制造方法,包括:提供一基底;在该基底表面形成一罩幕层;定义该罩幕层,用以在该基底中形成一沟渠,该沟渠之该基底两侧壁与该沟渠底部之该基底的两角落处为一圆弧形;将该沟渠填满一绝缘物质;以及去除该罩幕层,直至裸露出该基底,以形成具圆弧形角落之该浅沟渠隔离结构。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该圆弧形角落所暴露出之该基底的任一点之夹角均大于180度。7.如申请专利范围第5或6项所述之方法,其中在该基底和该罩幕层之间更包括形成一垫氧化层。8.如申请专利范围第5或6项所述之方法,其中在将该沟渠填满该绝缘物质之前,更包括在该沟渠之该基底表面形成一衬氧化层。9.一种于浅沟渠隔离结构之制程中,避免应力集中形成之方法,适用于具有单晶结构之一基底,该方法包括下列步骤:在该基底中形成一圆弧形沟渠,该圆弧形沟渠所暴露出之该基底的任一点之夹角均大于180度。10.一种于浅沟渠隔离结构之制程中,避免应力集中形成之方法,适用于具有单晶结构之一基底,该方法包括下列步骤:在该基底中形成一沟渠,该沟渠之该基底两侧壁与该沟渠底部之该基底的两角落处为一圆弧形,该圆弧形角落所暴露出之该基底的任一点之夹角均大于180度。图式简单说明:第一图A至第一图E系绘示习知一种浅沟渠隔离结构之制造流程剖面图;第二图A至第二图F所示,系为根据本发明一第一较佳实施例之一种圆弧形浅沟渠隔离区之制造流程剖面图;以及第三图A至第三图C所示,系为根据本发明一第二较佳实施例之一种具圆弧形角落的浅沟渠隔离区之制造流程剖面图。 |
