| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离结合绝缘层上有矽之制造方法,包括:提供一基底,该基底至少包括一浅沟渠隔离区域与一绝缘层上有矽区域;于该绝缘层上有矽区域之该基底中形成一第一开口;于该基底上与该第一开口内形成一共形之第一绝缘层;形成一非晶矽层填满该第一开口;于该浅沟渠隔离区域之该基底中形成一第二开口;形成一第二绝缘层填满该第二开口;执行一致密化制程,使该第二绝缘层致密化,并使该开口内之该非晶矽层转变成一单晶矽层;去除该基底上暴露之该第一绝缘层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一绝缘层包括依序形成之一衬氧化层与一氧化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二绝缘层包括由一氧化矽层所组成。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中形成该第二绝缘层之前,更包括于该第二开口之内表面形成一共形之衬氧化层。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该致密化制程在温度约摄氏1000度左右。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中去除该第一绝缘层的方法包括湿式浸渍法。7.一种浅沟渠隔离结合绝缘层上有矽之制造方法,包括:提供一基底,该基底至少包括一浅沟渠隔离区域与一绝缘层上有矽区域;于该绝缘层上有矽区域之该基底中形成一第一开口;于该基底上与该开口内依序形成共形之一第一衬氧化层与一第一氧化矽层;形成一非晶矽层填满该第一开口;于该浅沟渠隔离区域之该基底中形成一第二开口;于该第二开口之内表面形成一共形之第二衬氧化层;于该基底上形成第二氧化矽层,且填满该第二开口;执行一致密化制程,使该第二氧化矽层致密化,并使该第一开口内之该非晶矽层转变成一单晶矽层;进行一平坦化制程,去除部分之该第二绝缘层,直到暴露出该单晶矽层;以及依序去除该基底上暴露之该第一氧化矽层与该第一衬氧化层。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该形成该第一衬氧化层与该第二衬氧化层的方法包括热氧化法。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中形成该第一氧化矽层与该第二氧化矽层的方法包括化学气相沉积法。10.如申请专利范围第7项所述之方法,其中形成该第二开口的方法包括微影与蚀刻。11.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该致密化制程在温度约摄氏1000度左右。12.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该平坦化制程包括化学机械研磨法。13.如申请专利范围第7项所述之方法,其中去除该第一绝缘层的方法包括湿式浸渍法。14.一种浅沟渠隔离结合绝缘层上有矽之结构,系架构于一基底,该基底包括一浅沟渠隔离区域与一绝缘层上有矽区域,该结构至少包括:一第一绝缘层,配置于该浅沟渠隔离区域,并嵌入该基底中;一单晶矽层,配置于该绝缘层上有矽区域,并嵌入该基底中;以及一第二绝缘层,配置于该单晶矽层与该基底之间。15.如申请专利范围第14项所述之结构,其中该第一绝缘层包括一致密氧化层。16.如申请专利范围第15项所述之结构,其中该致密氧化层与该基底之间更包括以一衬氧化层相隔。17.如申请专利范围第14项所述之结构,其中该第二绝缘层包括一氧化矽层。18.如申请专利范围第17项所述之结构,其中该氧化矽层与该基底之间更包括以一衬氧化层相隔。图式简单说明:第一图A至第一图F是绘示依照本发明一较佳实施例之制程剖面示意图。 |
