| 主权项 |
1.一种以矽为基础的基板材料,其特征在于一以矽为基础之半绝缘层且包含具有围绕它们之空乏区的粒子,粒子是如此分散的以邻近粒子之空乏区彼此重叠。2.如申请专利范围第1项之基板材料,其特征在于以粒子如此选择而围绕此粒子之空乏区是由介于矽与粒子之异质接合面所产生。3.如申请专利范围第1项之基板材料,其特征在于以粒子如此选择而围绕此粒子之空乏区是由介于矽与粒子之肖特基障壁所产生。4.如申请专利范围第1项之基板材料,其特征在于粒子包含金属原子以及/或矽化分子。5.如申请专利范围第1项之基板材料,其特征在于粒子包括一与一或多种金属矽化物在钴,钼,钨,铍,铂,镍中选择者。6.如申请专利范围第1项之基板材料,其特征在于粒子包括钼原子以及/或钨。7.如申请专利范围第1项之基板材料,其特征,在于粒子包括碳,特别为碳化矽,碳化铝,碳化镓,碳化钛。8.如申请专利范围第1项之基板材料,其特征在于以一矽晶片,其位于半绝缘层顶部上。9.如申请专利范围第1项之基板材料,其特征在于以一在一顶部晶片表面上的二氧化矽层,此二氧化矽层的表面被接合至半绝缘层。10.一种生产以矽为基础的基板材料之方法,其特征在于如下的步骤提供一矽板,在此矽板之一表面层产生之粒子具有肖特基障壁或异质接合面,此粒子被如此分散衣来自于邻近粒子之肖特基障壁或异质接合面产生空乏区彼此重叠或准备此表面层以致如此粒子能被形成,引用一以矽为基础之层,特别是矽以及/或二氧化矽,至表面层的顶部,此被引用的顶部层是一矽层,在当于此粒子已被产生时,引用工作被完成此粒子之肖特基障壁或异质接合面基本上没有被改变,且在当于此表面层已被准备时形成粒子。11.如申请专利范围第10项之方法,其特征在当于此表面层已被准备时,在引用一以矽为基础之层的步骤中粒子被形成。12.如申请专利范围第10项之方法,其特征为在引用一以矽为基础之层时,一仅为矽制成之层被使用,包含额外的步骤如此顶部矽层被打薄,在此被打薄矽层之一表面层产生之粒子具有肖特基障壁或异质接合面,此粒子被分散在自邻近粒子之肖特基障壁或异质接合面产生空乏区彼此重叠或准备表面层以致如此粒子能被形成,引用仅以矽之其他层至表面层的顶部,在当于此粒子已被产生时引用工作被完成,此粒子之肖特基障壁基本上没有被改变,且在当于此表面层已被准备时形成粒子,重复这些步骤直至最后的步骤为,在一表面层内形成粒子之步骤之后或准备此表面以形成如此粒子,最后的步骤包括引用一以矽为基础之层,特别是矽以及/或二氧化矽,至表面层的顶部,此被引用的顶部层是一矽层,在当于此粒子已被产生时,引用工作被完成此粒子之肖特基障壁或异质接合面基本上没有被改变,且在当于此表面层已被准备时形成粒子。13.如申请专利范围第12项之方法,其特征为在当于此表面层已被准备时,在引用一以矽为基础之层的步骤中粒子被形成。14.如申请专利范围第10项之方法,其特征为矽之顶层被打薄至一厚度适于以及/或在此顶层制造电子零件与积体电路。15.如申请专利范围第10项之方法,其特征为在此表面层上产生粒子,此矽板之表面以形成一矽化物或与矽化合之半导体复合物之一材料被喷溅,蒸发,注入或喷雾在其上,此表面层特别是板的全部而后被加热以形成该矽化物或该与矽化合之半导体复合物在此表面层内。16.如申请专利范围第15项之方法,其特征为于喷溅,蒸发,注入或喷雾中于此被使用之一金属材料或一复合物,特别是一包括一或多种金属材料之一金属材料在钴,钼,钨,钛,铂,镍,较特别之钴或于此一复合物中选择。17.如申请专利范围第10项之方法,其特征为在此表面层上产生粒子,在一矽块之晶体成长期间此粒子被嵌入于此基板中。图式简单说明:第一图是一具有一半绝缘内层之一矽质基板的截面图,以及第二图是一具有一半绝缘内层之一隔离SOI基板的截面图。 |
