| 主权项 |
1.一种半导体积体电路,包含:用以驱动负载之包含金氧半电晶体之驱动器;以及用以使因金氧半电晶体之闸-源寄生电容系数之故而造成的金氧半电晶体源极处之电位改变稳定之稳定器。2.如申请专利范围第1项之半导体积体电路,其中驱动器以1GHz或更高之频率来驱动负载。3.如申请专利范围第1项之半导体积体电路,其中当金氧半电晶体源极处之电位从第一电位转换至不同于第一电位之第二电位时,稳定器会供应电荷予源极以使使源极处之电位改变稳定。4.如申请专利范围第1项之半导体积体电路,更进一步地包含用以产生被驱动器所吸收之讯号的含有金氧半电晶体之逻辑电路,其中稳定器含有耦合器用以将驱动器之金氧半电晶体源极与逻辑电路之金氧半电晶体源极耦合于第一电源供应器上。5.如申请专利范围第4项之半导体积体电路,其中第一电源供应器含有接地电源供应器与电位高于接地电源供应器之电源供应器其中之一。6.如申请专利范围第1项之半导体积体电路,更进一步地含有逻辑电路,其中稳定器包含电容用以使驱动器的金氧半电晶体源极耦合于电位转换相反于驱动器的金氧半电晶体闸极处之电位改变的逻辑电路之节点。7.如申请专利范围第6项之半导体积体电路,其中电容含有汲极与源极彼此耦合之反馈效应电晶体。8.如申请专利范围第1项之半导体积体电路,其中驱动器更进一步地含有与金氧半电晶体串联之附加的金氧半电晶体,以及稳定器含有:第一电源供应器与不同于第一电源供应器之第二电源供应器,以及耦合于金氧半电晶体源极与第一电源供应器之第一电容和耦合于附加的金氧半电晶体源极与第二电源供应器之第二电容。9.如申请专利范围第8项之半导体积体电路,其中第一与第二电容之每一个皆含有汲极与源极彼此耦合的反馈效应电晶体。图式简单说明:第一图系阐明本发明概念之图示。第二图A系根据本发明例1之半导体积体电路电路图,并且第二图B系例1之半导体积体电路的波形图。第三图A系根据本发明例2之半导体积体电路电路图,并且第三图B系藉由耦合金氧半电晶体之源极与汲极所获得的电容案例。第四图系显示输入与输出习知的半导体积体电路之驱动器之讯号的波形图。第五图系显示输入与输出例2之半导体积体电路的驱动器之讯号的波形图。第六图系根据本发明例3之半导体积体电路电路图。第七图系例3之另一半导体积体电路电路图,其中稳定器含有电容。第八图系例3之又另一半导体积体电路电路图,其中稳定器含有电容。第九图系例3之再另一半导体积体电路电路图,其中驱动器系开汲极型。第十图系根据本发明例4之半导体积体电路电路图。第十一图系恨据本发明例5之半导体积体电路电路图。第十二图系显示例5之半导体积体电路驱动器的输入与输出讯号间关系的模拟结果图。第十三图系根据本发明例6之半导体积体电路电路图。第十四图A系说明习知技术问题之电路图,并且第十四图B系显示第十四图A之习知电路操作之模拟结果的波形图。第十五图系显示当输入节点处之电位从HIGH转换至LOW时所观察到第十四图A电路之源极节点处之电位改变的模拟结果图。 |
