| 主权项 |
1.一种电容形状的布局方法,以一俯视图的方式设计该布局方法,该俯视图具有复数个电容,其包括:该些电容均具有复数个凹陷处与复数个突起处之波浪状外壁,该些电容之一电容部份的该些突出处占据邻接之其它该些电容之部份该些凹陷处;以及该些电容间至少相距一最小间距。2.如申请专利范围第1项所述之布局方法,其中,该最小间距约为0.270m。3.如申请专利范围第1项所述之布局方法,其中,该第些电容可具有相同的波浪形外壁图案。4.如申请专利范围第1项所述之布局方法,其中,该些电容可具有不同的波浪形外壁图案。5.如申请专利范围第1项所述之布局方法,其中,该些电容之该些突出处占据该些电容之该些凹陷处系可充分利用该电容基底空间。6.一种电容形状的布局方法,以一俯视图的方式设计该布局方法,该俯视图具有复数个电容,其中由一第一电容、一第二电容﹑一第三电容与一第四电容组成一单元,其包括:该第一电容、该第二电容、该第三电容具有一第一图案,该第四电容具有一第二图案,其中,该第一图案与该第二图案具有复数个凹陷处与复数个突起处之波浪状外壁,该第一图案与该第二图案为一镜像关系;该第一电容、该第二电容、该第三电容与该第四电容分别以一第一方向、一第二方向、一第三方向与一第四方向排列,使得该第一电容的部份该些突起处占据该第二电容、该第三电容与该第四电容的部份该些凹陷处,该第二电容的部份该些突起处占据该第三电容、该第四电容与该第一电容的部份该些凹陷处,该第三电容的部份该些突起处占据该第四电容、该第一电容与该第二电容的部份该些凹陷处,且该第四电容的部份该些突起处占据该第一电容、该第二电容与该第三电容的部份该些凹陷处;以及该些电容间至少相距一最小间距。7.如申请专利范围第6项所述之布局方法,其中,该最小间距约为0.270m。8.一种电容形状的布局方法,以一俯视图的方式设计该布局方法,该俯视图具有复数个电容,其中由一第一电容、一第二电容、一第三电容与一第四电容组成一单元,其包括:该第一电容、该第二电容、该第三电容与该第四电容具有相同之一波浪形外壁图案;每一电容之该波浪形外壁图案包括一第一侧边、一第二侧边、一第三侧边与一第四侧边,其中,该第一侧边与该第二侧边相连接,该第二侧边与该第三侧边相连接,该第三侧边与该第四侧边相连接,该第四侧边与该第一侧边相连接而形成一封闭图案;该些电容的该第一侧边与该第三侧边具有相同的一第一图案;该些电容的该第二侧边与该第四侧边分别具有一第二图案与一第三图案,其中该第二图案旋转180后即为该第三图案;该第三电容的该第一侧边与该第四电容的该第三侧边至少相距一第一长度,且具互补关系;以及该第一电容的部份该第三侧边与该第三电容的部份该第四侧边具互补关系,且该第三电容的该第一侧边与该第四侧边连接处具一突出部份,该突出部份占据该单元之中心位置。9.如申请专利范围第8项所述之布局方法,其中,该第一长度约为0.270m。图式简单说明:第一图是一DRAM元件的一记忆单元之电路示意图。第二图系显示一种习知电容形状布局方法俯视图。第三图至第五图系显示根据本发明电容形状布局方法较佳实施例之俯视图。 |
